Mục tiêu: Đánh giá đặc điểm hình thái, chức năng thận trên xạ hình với 99mTc-DTPA và siêu âm của người hiến thận cùng huyết thống. Đối tượng và phương pháp: Nghiên cứu mô tả, cắt ngang trên 48 người bình thường, khỏe mạnh có cùng huyết thống với người nhận thận, được siêu âm và xạ hình với 99mTc-DTPA, từ tháng 01/2021 - 4/2022. Kết quả: Tuổi trung bình 33,79 ± 8,28 (thấp nhất 23, cao nhất 60 tuổi) tỷ lệ nam/nữ là 1,29/1. Kích thước của thận trên siêu âm (chiều rộng × dài): Thận phải 44,7 mm × 99,21 mm, thận trái 46,85 mm × 101,06 mm. Kích thước chiều rộng của thận ở nữ giới nhỏ hơn nam giới (47,15 ± 6,79 mm so với 41,82 ± 5,79, p < 0,05). Chức năng thận trên xạ hình với 99mTc-DTPA, mức lọc cầu thận trung bình ở cả hai giới 122,87 ± 10,44 mL/phút; thận phải 61,87 ± 6,39 mL/ phút, thận trái 61,0 ± 6,31 mL/phút; tỷ lệ % đóng góp của thận phải 50,81 ± 2,77%, thận trái 49,19 ± 2,77%. Không có mối tương đồng giữa mức lọc cầu thận trên xạ hình thận và công thức ước tính. Không có mối tư... Show 4. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h) có thông số sau : IDSS = 1,65mA, Vpo = 2V. Tính : 1. Tính điện thế phân cực VGS theo điều kiện VGS + Vpo = 0,63. 2. Tính dòng thoát ID. 3. Tính hệ số truyen dẫn gm. Giải: 1. Tính VGS : Vp = VGS + Vpo VGS = 0,63V – Vpo = 0,63 – 2 = - 1,37V 2. Tính dòng thoát: 2 2 2 1 1, 65 1,37 1, 65 1 0, 685 0, 1 2 GS D DSS GSOFF V I I V mA V mA V
1 2 1 2 1, 65 1, 1 1, 65 / 1 0, 685 1, 65 / 0,315 0,52 / 2 2 GS DSS GS m mo GSOFF GSOFF GSOFF g g V I V V V V mA V mA V mA V mA V V V hay : gm = 0,52 mS 4. Cho mạch khuếch đại JFET 2N5458 ( H) JFET có các thông số : IDSS = 2mA – 9mA gm = gfs = 1500 – 5000 S và dòng rĩ cực cỗng IGSS = 1nA. 1. Tính trị số VGS. 2. Tính điện thế VDS trong 2 giới hạn của IDSS cho ở trên. 3. Tính độ lợi điện thế Av trong 3 giới hạn Của IDSS ở trên. Giải: H. 1. Tính VGS : VGS = VG – VS = RGIGSS – 0 = 100M ( 1nA) = 0,1V= 0V
VDS = VDD – RD ID = 20V- 2k(2mA) = 16V Khi IDSS = 9mA cho : Do VGS = 0V I ID DSS = 9mA Vo Vi -
VDS G + - VGS
Q RG RD RS 1uF 1uF
Vo Vi VDS G + - VGS VDD +20V Q RG 100M RD 2k Ci Co VDS = VDD – RD ID = 20V- 2k(9mA) = 2V 3.Độ lợi thế: Với: gm = 1500 S = 1,5mS Av = - gm RD = 1,5mS ( 2k ) = - 3 gm = 5500 S = 5,5mS Av = - gm RD = 5,5mS ( 2k ) = - 11 4. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h). JFET có IDSS = 4mA; Vpo = 5V, rds = 10k 1. Tính điện thế phân cực VGDQ để có IDQ = 1mA. 2. Tính RS và VDS. Giải: 1. Tính VGS: 2 2 1 141 5 GS D DSS GSOFF GS V I I V mA mA V V H. 2 1 1 1 1 1 1 4 5 2 5 5 2 VGS VGS VGS V V ( ) ( ) 1 7,5 7,5 5 5 1 2 2,5 2,5 5 po khong GS po chon V V V V V V V V Nhớ : VGSOFF = - Vpo Vậy chọn : VGS = - 2,5V
2, 2, 2, 1, 5 12 3,9 2,5 1 12 6, 4 5, 6 S DGS S DS DD D S D V R I V V R k mA V V R R I V k mA V 4. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở bài 4. JFET có : Vpo = 2V; IDSS = 1,65mA; **phân cực tại VGS = - 0,62V; VDD = 24V. Tính :
4. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở h nhưng với các trị số sau:* Vo Vi VDS G + - VGS VDD +12V Q RG 1M RD 3,9k RS Ci Co
ID (mA) 0 0,2 4 6 10, Vẽ chung với đặc tuyến truyền ở h,4. Giao điểm của 2 đường cho trị số điểm tĩnh điều hành Q : VGS = - 1,7V IDQ = - 3,3mA Còn lại trị số VDSQ tính được: VDSQ = VDD – ( RD + RS ) ID = 22V – ( 2,7 + 0,5)k ( 3,3mA) = = 22V – 10,56V = 11,44V 4. Cho mạch khuếch đại CS JFET tự phân cực như h nhưng với VCC = +22V; RG = 1M* ; RD = 3,6k ; RS = 0,75k **. JFET có: IDSS = 12mA; VGSOFF = -Vpo = -4V. Tính:
V I I V (1) và : VGS = - RSID (2) Thay (2) vào (1) : 2 2 2 2 22 2 2 1 1 2 2 0 D DSS S D DSS S D S D GSOFF GSOFF GSOFF S D D GSOFF S GSOFF GSOFF DSS R I R I R I I I I V V V V R I I V R V I có dạng phương trình bậc 2 : ax 2 + bx + c =0 với : 2 2 2 2 2 D S GSOFF GSOFF S DSS GSOFF po x I a R b V V R I c V V Giải phương trình cho ta nghiệm : 24 2 D b b ac I a Thay các trị số linh kiện vào tính được: 10 2 2 2 3 2 2 2 ( ) ( ) 0, 75 750 562. 4 2 4 750 6000 1334 7334 12. 4 16 4 7334 4 562500 16 4217,5 4218 7334 4218 1 2 562500 2, 77 DSS khong D chon DSS a k b c b ac A I I mA I vậy chọn : ID = 2,8mA VGS = - RSID = - 0,75k(2,8mA) = -2,1V Tính VDS : VDS = VDD – ( RD + RS)ID = 22V – ( 3,6 + 0,75)k( 2,8mA) = = 22V – 12,18 = 9,8V 4. Làm lại bài tập 4 với các trị số sau: VDD = 20V; RD = 2,4k** ; RS = 680 ; RG = 3,3M **. JFET có : IDSS = 10 mA ; VGSOFF = -Vpo = - 4V. Đáp số :** Tính điểm Q: 12,45mA > IDSS( không chọn) IDQ = 2,78mA < IDSS ( chọn) VGSQ = - 1,9V VDSQ = 11,43V 4. Cho mạch khuếch đại JFET như h. 5. JFET có : IDSS = 10 mA ; IGSS = 0 A. VGSOFF = -Vpo = - 4V; Vi = 20mV Tính trị điểm Q. Đáp số : Tính trị Q. VGG = VGS + RGIGSS = VGS VGS = VGG = - 1V 2 2 2 1 10 1 1 10 1 0, 25 4 5, 6 GS D DSS GSOFF I I V V mA mA mA 15 1,5 5, 6 15 8, 4 6, 6 V VDS DD R ID D V k mA V V V Hình 5 4 Cho mạch khuếch đại CS (h). JFET được phân cực có IDQ = 2,5mA gm = 3mS ; rd = 100k **. Tính trị VGSQ, VDSQ.** Giải: 1. Tính VGSQ, VDSQ 2 1 2 1244 G DD 5, 6 1 R V V V V R R + - Vo Vi VDS G + - VGS +24VVDD Ci Q Co
R 1M RD 2,7k RS 2,7k R 5,6M Vo Vi VDS G + - VGS VDD +15V Ci Q Co RG1M RD 1,5k -1VVGG+ 10 VGS = - 2V và ID = 2,96mA Tính : VDS = VDD – ( RD + RS ) ID = 20V-( 2,7 + 2,7).10 3 (2,96. 10-3) = = 20V – 15,984V = 4V. 4. Cho mạch khuếch đại ráp CS như ở h với có R 1 = 1M , R 2 =470k RS = 680 , RD = 1,2k **, VDD = 30V. Tại điểm tĩnh điều hành , JFET có các thông số sau : IDSS = 11mA và Vpo = 2V. Tính :
: 2 -0,680k( 4,8mA) = - 0,684V > VGSOFF = - 2V và 2,58V -(0,68k) (9,5mA) = - 3,88V < VGSOFF. Do đó chọn : IDQ = 4,5 mA VGSQ = - 0,684V Suy ra : VDSQ = 20,98V **4. Đặc tính kỹ thuật của MOSFET loại tăng , cho biết ID = 9mA tại VGS = 8V; VTH = 1V.
2 2 2 9 0,18 / 8 1 D GS TH I mA k mA V V V V V 2. Tính dòng ID: ID = (0,18 mA/V 2 )(3 – 1) 2 = 0,72 mA. 4. Cho mạch khuếch đại MOSFET loại hiếm ráp cực nguồn chung theo h. 9. FET có IDSS = 10mA; Vpo = 3, 5V. Tính trị số phân cực DC. Giải: Tính trị phân cực RGIG +VGS = 0 VGS = 0V Nên : ID = IDSS ( 1- 0 ) 2 = IDSS = 10mA Và: VDS = VDD – RDID = 24V – 10mA ( 1,5k) = 9V Hình 9 4. Cho mạch khuếch đại MOSFET loại hiếm n-DMOSFET như H. DMOSFET có thông số : IDSS = 6mA ; Vop = 3V; yos = 0,05mS, IS = 5,5mA Tính trị số phân cực Q. vo vi VDD +18V Ci Q Co R 10M RD 1,8k R 110M 0 +Cs Giải: H. H. Tính VGS , VDS 2 1 2 10 18 1, G CC 110 10 V R V V V R R VS = RSID = 0,3k( 5,5mA ) = 165V VGS = VG – VS = 1,5V – 1,65V = 0,15V VDS = VDD – (RD + RS )ID = 18V – ( 1,8k+ 0,3k) ( 1,93mA) = = 18V – 11,55V= 12,78V 4. Cho mạch khuếch đại n-EMOSFET như h. 11. MOSFET có: ID(ON) = 5mA; tại VGS ( ON) = 10V; VTH = 4V ; gm = 5,5 mS. Tính trị số điểm tĩnh Q. Giải: Tính trị điểm Q: ####### ( ) 2 ( ) D ON GS ON TH k I V V 2 2 5 10 4 0,139 / k mA V V mA V H. Điện thế phân cực: Hình 10 2 1 2 3315 6, 47 33 0 6,19 0 6, G DD S GS G S R V V V V R R V V V V V V V V Dòng ID: 2 2 2 ID k V VGS TH 0,139 mA V / 6,19 V V 4 0, 667 mA Điện thế VDS : VDS = VDD – RDID = 15V – 3,3k( 0,667mA) = 12,8V 4. Cho mạch khuếch đại N-EMOSFET ráp CS như h. 12. MOSFET có thông số: k = 0,25 mA/V 2 ; VTH = 2V; rd = 75k , được phân cực tại ID =1,93 mA. 1. Tính VGS, VDS. Giải: 1ính VGS, VDS vo 50mVvi
+VDD +15V Q ID 47kR RD 3,3k R 33k Ci Co vo vi
+VDD +18V Q ID R 47M RD 2,2k R 22M RS 500 RL 100k Ci Co
####### ( ) 2 2 2 ( ) 3 0,12 / 10 5 D ON GS ON TH I mA k mA V V V V V a = ( 820) 2 = 672400 b = -[2( 18 – 5)(820) + ( 1 / 0,12-3 )] = -2[ 10660+4167] = - 29654 c = ( 18 – 5 ) 2 = 169 2 ####### 29654 4 672400 169 20611 Giải được: 29564 20611 6, 275 D 2 672400 37, mA I mA Suy ra: Với ID = 6,275mA VGS = VG – RSID= 18V – (829)(6,725mA) = = 18V – 5,1455V = 12, 855V > VTH. Với ID = 37,37mA VGS = VG – RSID= 18V – (829)(37,37mA) = = 18V – 30,65V = -12,64V < VTH Vậy chọn : IDQ = 6,275mA VGSQ = 12,855V Và : VDSQ = VDD – ( RD + RS)ID = = 18V- ( 0,82+3)3 ( 6,27510-3 = 18V – 23,97V = = 16,03V Chú ý: 30 ID ( mA) Khi giải bằng đặc tuyến truyền : ID = k( VGS – VTH) 2 21,95 N và đường phân cực: D GS DD S S V V I R R 10 6,7 IDQ Q Giao điểm cho ta trị Q M VGS (V) 0 5 10 12,5 15 20 VTN VGSQ 4.16 mạch khuếch đại N-EMOSFET ráp CS phân cực hồi tiếp ( h ). MOSFET có thông số VTH = 2,5V; k = 0,3 mA/V 2 ; yos = 20 S; VGS = 5V. Tính trị số điểm tĩnh Q. Giải: 1. Tính ID và VDS : |
