Mục tiêu: Đánh giá đặc điểm hình thái, chức năng thận trên xạ hình với 99mTc-DTPA và siêu âm của người hiến thận cùng huyết thống. Đối tượng và phương pháp: Nghiên cứu mô tả, cắt ngang trên 48 người bình thường, khỏe mạnh có cùng huyết thống với người nhận thận, được siêu âm và xạ hình với 99mTc-DTPA, từ tháng 01/2021 - 4/2022. Kết quả: Tuổi trung bình 33,79 ± 8,28 (thấp nhất 23, cao nhất 60 tuổi) tỷ lệ nam/nữ là 1,29/1. Kích thước của thận trên siêu âm (chiều rộng × dài): Thận phải 44,7 mm × 99,21 mm, thận trái 46,85 mm × 101,06 mm. Kích thước chiều rộng của thận ở nữ giới nhỏ hơn nam giới (47,15 ± 6,79 mm so với 41,82 ± 5,79, p < 0,05). Chức năng thận trên xạ hình với 99mTc-DTPA, mức lọc cầu thận trung bình ở cả hai giới 122,87 ± 10,44 mL/phút; thận phải 61,87 ± 6,39 mL/ phút, thận trái 61,0 ± 6,31 mL/phút; tỷ lệ % đóng góp của thận phải 50,81 ± 2,77%, thận trái 49,19 ± 2,77%. Không có mối tương đồng giữa mức lọc cầu thận trên xạ hình thận và công thức ước tính. Không có mối tư...
4. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h) có thông số sau : IDSS = 1,65mA, Vpo = 2V. Tính : 1. Tính điện thế phân cực VGS theo điều kiện VGS + Vpo = 0,63. 2. Tính dòng thoát ID. 3. Tính hệ số truyen dẫn gm. Giải: 1. Tính VGS : Vp = VGS + Vpo VGS = 0,63V – Vpo = 0,63 – 2 = - 1,37V 2. Tính dòng thoát:
2
2 2
1
1, 65 1,37 1, 65 1 0, 685 0, 1 2
GS D DSS GSOFF
V I I V
mA V mA V
- 3,Tính hệ số truyền dẫn :
1 2 1
2 1, 65 1, 1 1, 65 / 1 0, 685 1, 65 / 0,315 0,52 / 2 2
GS DSS GS m mo GSOFF GSOFF GSOFF
g g V I V V V V mA V mA V mA V mA V V V
hay : gm = 0,52 mS 4. Cho mạch khuếch đại JFET 2N5458 ( H) JFET có các thông số : IDSS = 2mA – 9mA
gm = gfs = 1500 – 5000 S và dòng rĩ cực cỗng IGSS = 1nA. 1. Tính trị số VGS. 2. Tính điện thế VDS trong 2 giới hạn của IDSS cho ở trên. 3. Tính độ lợi điện thế Av trong 3 giới hạn Của IDSS ở trên.
Giải: H.
1. Tính VGS : VGS = VG – VS = RGIGSS – 0 = 100M ( 1nA) = 0,1V= 0V
- Tính VDS : Khi IDSS = 2mA cho : Do VGS =0V I ID DSS = 2mA
VDS = VDD – RD ID = 20V- 2k(2mA) = 16V
Khi IDSS = 9mA cho : Do VGS = 0V I ID DSS = 9mA
Vo Vi -
- S
VDS
G + - VGS
- VDD
Q
RG
RD
RS
1uF
1uF
- CS
Vo Vi VDS
G + - VGS
VDD +20V
Q
RG 100M
RD 2k Ci
Co
VDS = VDD – RD ID = 20V- 2k(9mA) = 2V
3.Độ lợi thế:
Với: gm = 1500 S = 1,5mS Av = - gm RD = 1,5mS ( 2k ) = - 3
gm = 5500 S = 5,5mS Av = - gm RD = 5,5mS ( 2k ) = - 11
4. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h). JFET có IDSS = 4mA; Vpo = 5V, rds = 10k 1. Tính điện thế phân cực VGDQ để có IDQ = 1mA. 2. Tính RS và VDS.
Giải: 1. Tính VGS:
2
2
1
141 5
GS D DSS GSOFF
GS
V I I V
mA mA V V
H.
2 1 1 1 1 1 1 4 5 2 5 5 2
VGS VGS VGS V V
( ) ( )
1 7,5 7,5 5 5 1 2 2,5 2,5 5
po khong GS po chon
V V V V V V V V
Nhớ : VGSOFF = - Vpo
Vậy chọn : VGS = - 2,5V
- Tính Rs và VDS :
2, 2, 2, 1, 5 12 3,9 2,5 1 12 6, 4 5, 6
S DGS
S
DS DD D S D
V R I V V R k mA V V R R I V k mA V
4. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở bài 4. JFET có : Vpo = 2V; IDSS = 1,65mA; **phân cực tại VGS = - 0,62V; VDD = 24V. Tính :
- Trị số dòng thoát ID.
- Tính trị số RS. Giải:** 1 ID = 0,8mA 2 RS = 800
4. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở h nhưng với các trị số sau:*
Vo Vi VDS
G + - VGS
VDD +12V
Q
RG 1M
RD 3,9k
RS
Ci
Co
- CS
ID (mA) 0 0,2 4 6 10,
Vẽ chung với đặc tuyến truyền ở h,4. Giao điểm của 2 đường cho trị số điểm tĩnh điều hành Q : VGS = - 1,7V IDQ = - 3,3mA Còn lại trị số VDSQ tính được: VDSQ = VDD – ( RD + RS ) ID = 22V – ( 2,7 + 0,5)k ( 3,3mA) = = 22V – 10,56V = 11,44V 4. Cho mạch khuếch đại CS JFET tự phân cực như h nhưng với VCC = +22V; RG = 1M* ; RD = 3,6k ; RS = 0,75k **. JFET có: IDSS = 12mA; VGSOFF = -Vpo = -4V. Tính:
- Tri số điểm tĩnh điều hành Q. Giải:**
- Tính trị số điểm Q Vì không biết cùng 1 lúc 2 trị số VGS và ID nên ta có thể giải bằng phương pháp tìm giao điểm của đặc tuyến truyền và đường phân cực Tuy nhiên , sau đây ta xét cách giải bằng giải phương trình bậc 2 để tính dòng I D. Từ phương trình : 2 D DSS 1 GS GSOFF
V I I V
(1) và : VGS = - RSID (2) Thay (2) vào (1) : 2 2 2 2 22 2 2
1 1 2
2 0
D DSS S D DSS S D S D GSOFF GSOFF GSOFF
S D D GSOFF S GSOFF GSOFF DSS
R I R I R I I I I V V V V R I I V R V I
có dạng phương trình bậc 2 : ax 2 + bx + c =0 với :
2 2
2 2
2
D S GSOFF GSOFF S DSS GSOFF po
x I a R
b V V R I c V V
Giải phương trình cho ta nghiệm : 24 2
D
b b ac I a
Thay các trị số linh kiện vào tính được:
10
2 2
2 3 2
2 2
( ) ( )
0, 75 750 562. 4 2 4 750 6000 1334 7334 12. 4 16
4 7334 4 562500 16 4217,5 4218 7334 4218 1 2 562500 2, 77
DSS khong D chon DSS
a k
b
c
b ac A I I mA I
vậy chọn : ID = 2,8mA
VGS = - RSID = - 0,75k(2,8mA) = -2,1V Tính VDS :
VDS = VDD – ( RD + RS)ID = 22V – ( 3,6 + 0,75)k( 2,8mA) = = 22V – 12,18 = 9,8V
4. Làm lại bài tập 4 với các trị số sau: VDD = 20V; RD = 2,4k** ; RS = 680 ; RG =
3,3M **. JFET có : IDSS = 10 mA ; VGSOFF = -Vpo = - 4V. Đáp số :** Tính điểm Q: 12,45mA > IDSS( không chọn) IDQ = 2,78mA < IDSS ( chọn) VGSQ = - 1,9V VDSQ = 11,43V 4. Cho mạch khuếch đại JFET như h. 5. JFET có : IDSS = 10 mA ; IGSS = 0 A. VGSOFF = -Vpo = - 4V; Vi = 20mV Tính trị điểm Q. Đáp số : Tính trị Q. VGG = VGS + RGIGSS = VGS VGS = VGG = - 1V
2
2 2
1
10 1 1 10 1 0, 25 4 5, 6
GS D DSS GSOFF
I I V V
mA mA
mA
15 1,5 5, 6 15 8, 4 6, 6
V VDS DD R ID D V k mA V V V
Hình 5
4 Cho mạch khuếch đại CS (h). JFET được phân cực có IDQ = 2,5mA gm = 3mS ; rd = 100k **. Tính trị VGSQ, VDSQ.**
Giải: 1. Tính VGSQ, VDSQ 2 1 2
1244 G DD 5, 6 1
R V V V V R R
+ -
Vo Vi VDS
G + - VGS
+24VVDD
Ci Q
Co
- CS 20uF
R 1M
RD 2,7k
RS 2,7k
R 5,6M
Vo Vi
VDS
G + - VGS
VDD +15V
Ci Q
Co
RG1M
RD 1,5k
-1VVGG+
10
VGS = - 2V và ID = 2,96mA
Tính : VDS = VDD – ( RD + RS ) ID = 20V-( 2,7 + 2,7).10 3 (2,96. 10-3) = = 20V – 15,984V = 4V.
4. Cho mạch khuếch đại ráp CS như ở h với có R 1 = 1M , R 2 =470k RS = 680 ,
RD = 1,2k **, VDD = 30V. Tại điểm tĩnh điều hành , JFET có các thông số sau : IDSS = 11mA và Vpo = 2V. Tính :
- Trị số điểm tĩnh Q. Đáp số:**
- Giải phương trình bậc 2 cho IDQ có 2 trị số là 4,8 mA và 9,5mA. Suy ra có 2 trị VGSQ là
: 2 -0,680k( 4,8mA) = - 0,684V > VGSOFF = - 2V và 2,58V -(0,68k) (9,5mA) = - 3,88V < VGSOFF. Do đó chọn : IDQ = 4,5 mA VGSQ = - 0,684V Suy ra : VDSQ = 20,98V
**4. Đặc tính kỹ thuật của MOSFET loại tăng , cho biết ID = 9mA tại VGS = 8V; VTH = 1V.
- Tính trị số k.
- Tính dòng thoát IDại trị số phân cực VGS = 3V Giải :**
- Tính k
2 2 2
9 0,18 / 8 1
D GS TH
I mA k mA V V V V V
2. Tính dòng ID: ID = (0,18 mA/V 2 )(3 – 1) 2 = 0,72 mA.
4. Cho mạch khuếch đại MOSFET loại hiếm ráp cực nguồn chung theo h. 9. FET có IDSS = 10mA; Vpo = 3, 5V. Tính trị số phân cực DC. Giải: Tính trị phân cực RGIG +VGS = 0 VGS = 0V Nên : ID = IDSS ( 1- 0 ) 2 = IDSS = 10mA Và: VDS = VDD – RDID = 24V – 10mA ( 1,5k) = 9V
Hình 9
4. Cho mạch khuếch đại MOSFET loại hiếm n-DMOSFET như H. DMOSFET có thông số : IDSS = 6mA ; Vop = 3V; yos = 0,05mS, IS = 5,5mA Tính trị số phân cực Q.
vo
vi
VDD +18V
Ci Q
Co
R 10M
RD 1,8k R 110M
0 +Cs
Giải: H. H. Tính VGS , VDS
2 1 2
10 18 1, G CC 110 10 V R V V V R R
VS = RSID = 0,3k( 5,5mA ) = 165V VGS = VG – VS = 1,5V – 1,65V = 0,15V VDS = VDD – (RD + RS )ID = 18V – ( 1,8k+ 0,3k) ( 1,93mA) = = 18V – 11,55V= 12,78V
4. Cho mạch khuếch đại n-EMOSFET như h. 11. MOSFET có: ID(ON) = 5mA; tại VGS ( ON) = 10V; VTH = 4V ; gm = 5,5 mS. Tính trị số điểm tĩnh Q. Giải: Tính trị điểm Q:
#######
( ) 2 ( )
D ON GS ON TH
k I V V
2
2
5 10 4 0,139 /
k mA V V mA V
H.
Điện thế phân cực: Hình 10
2 1 2
3315 6, 47 33 0 6,19 0 6,
G DD
S GS G S
R V V V V R R V V V V V V V V
Dòng ID:
2 2 2 ID k V VGS TH 0,139 mA V / 6,19 V V 4 0, 667 mA
Điện thế VDS : VDS = VDD – RDID = 15V – 3,3k( 0,667mA) = 12,8V
4. Cho mạch khuếch đại N-EMOSFET ráp CS như h. 12. MOSFET có thông số:
k = 0,25 mA/V 2 ; VTH = 2V; rd = 75k , được phân cực tại ID =1,93 mA. 1. Tính VGS, VDS.
Giải: 1ính VGS, VDS
vo
50mVvi
- VDS
- * VGS
+VDD +15V
Q
ID 47kR
RD 3,3k
R 33k
Ci
Co
vo
vi
- VDS
- * VGS
+VDD +18V
Q
ID R 47M
RD 2,2k
R 22M
RS 500
RL 100k
Ci
Co
- 1uF
#######
( ) 2 2 2 ( )
3 0,12 / 10 5
D ON GS ON TH
I mA k mA V V V V V
a = ( 820) 2 = 672400 b = -[2( 18 – 5)(820) + ( 1 / 0,12-3 )] = -2[ 10660+4167] = - 29654 c = ( 18 – 5 ) 2 = 169
2
####### 29654 4 672400 169 20611
Giải được:
29564 20611 6, 275 D 2 672400 37,
mA I mA
Suy ra: Với ID = 6,275mA VGS = VG – RSID= 18V – (829)(6,725mA) = = 18V – 5,1455V = 12, 855V > VTH. Với ID = 37,37mA VGS = VG – RSID= 18V – (829)(37,37mA) = = 18V – 30,65V = -12,64V < VTH Vậy chọn : IDQ = 6,275mA VGSQ = 12,855V Và : VDSQ = VDD – ( RD + RS)ID = = 18V- ( 0,82+3)3 ( 6,27510-3 = 18V – 23,97V = = 16,03V
Chú ý: 30 ID ( mA) Khi giải bằng đặc tuyến truyền : ID = k( VGS – VTH) 2 21,95 N và đường phân cực:
D GS DD S S
V V I R R
10 6,7 IDQ Q Giao điểm cho ta trị Q M VGS (V) 0 5 10 12,5 15 20 VTN VGSQ 4.16 mạch khuếch đại N-EMOSFET ráp CS phân cực hồi tiếp ( h ). MOSFET có thông số VTH = 2,5V;
k = 0,3 mA/V 2 ; yos = 20 S; VGS = 5V. Tính trị số điểm tĩnh Q. Giải: 1. Tính ID và VDS :