Giải bài tập thiết kế mạch khuếch đại b chung

Sau khi thực hiện xong bài thực hành, sinh viên có khả năng:  Khảo sát các mạch khuếch đại E, C, và B chung.  Đo các thông số của mach khuếch đại.  Tìm băng thông mạch khuếch đại.  Hiểu rõ được các giá trị thực tế với lý thuyết của các thông số mạch khuếch đại.  Thiết kế được mạch khuếch đại dùng BJT.

Nội dung chính Show

II. Chuẩn bị lý thuyết
III. Nội dung:
Điện trở ngõ vào: Zi  RB // re

II. Chuẩn bị lý thuyết

Nêu các ưu và khuyết điểm của mạch khuếch đại CE
Nêu các ưu và khuyết điểm của mạch khuếch đại CB
Nêu các ưu và khuyết điểm của mạch khuếch đại CC
Hãy cho biết ứng dụng của mạch CE
Hãy cho biết ứng dụng của mạch CB
Hãy cho biết ứng dụng của mạch CC
Hãy tính toán trước các thông số trên lý thuyết của các mạch trong bài thực tập.

III. Nội dung:

Phần mục 1 và 2, sinh viên chỉ thực hiện 1 trong 2 mục, theo chỉ định của giáo viên, mục còn lại thì chạy mô phỏng. 1. Mạch khuếch đại CE – phân cực theo kiểu định dòng a. Có tụ CE:

Mắc mạch như hình sau:

GND

C

3M 2k

390 12V

AC

1uF

47uF

+

-

Hình 7-1. Mạch khuếch đại CE –có tụ CE.  Tính toán:

Hệ số khuếch đại của mạch: e

C L V r

R R

A

//



Điện trở ngõ vào: Zi  RB // re

Điện trở ngõ ra: ZO  RC

Trong đó: EQ

e I

mV r

26 

Kết nối thiết bị đo: TT Thiết bị đo Tín hiệu Kết quả Tình trạng BJT 1 Đồng hồ đo Đo điện áp VCE 2 Đồng hồ đo Đo dòng IC
Đo các giá trị và điền vào bảng: TT AV Maxswing ( v ( ppo )) Zi Z 0 fL fH BW

1 Giá trị tính toán 2 Giá trị đo 3 Sai số  Đo AV - Bước 1: Cho tín hiệu sóng sin vào từ máy phát có biên độ 10mV, tần số 1KHz, tiến hành kết nối thiết bị đo: Thiết bị đo Tín hiệu Kết quả Kênh CH1 – AC Đo tín hiệu vào Vi Vẽ vào hình 7-12a Kênh CH2 – DC Đo tín hiệu ra Vo Vẽ vào hình 7-12b

1. - THÁI VĨNH HIỂN 250 BÀI TẬP KVTHUỘTĐIỈN TỬ NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DỤC VIỆT NAM
3. TẮT PHẦN LÝ THUYẾT Hiệu ứng chỉnh lưu của điốt bán dẫn là tính dẫn điện không đối xứng. Khi điốt được phân cực thuận, điện trở tiếp giáp thường rất bé. Khi điốt được phân cực ngược điện trở tiếp giáp thưcmg rất lớn. Khi điện áp ngược đặt vào đủ lớn điốt bị đánh thủng và mất đi tính chỉnh lưu của nó. Trên thực tế tồn tại hai phưofng thức đánh thủng đối với điốt bán dẫn. Phưcíng thức thứ nhất gọi là đánh thủng tạm thời (zener). Phương thức thứ hai gọi là đánh thủng về nhiệt hay đánh thủng thác lũ. Người ta sử dụng phương thức đánh thủng tạm thời để làm điốt ổn áp. Phương trình cơ bản xác định dòng điện Idchảy qua điốt được viết nhưsau: ~^{DS enu.. (1-1) ở đây: - = — , là thế nhiệt; q - k = 1,38.10"^} — , hằng số Boltzman; K - q = 1,6.10 '’c, điện tích của electron; - n = 1 đối vói Ge và n = 2 đối với Si; - T nhiệt độ môi trường tính theo độ K. Từ phương trình (1-1) người ta xây dựng được đặc tuyến Volt-Ampe = f(Uj3) cho điốt và dùng nó đé iính toán các thông số có liên quan đối với các mạch điện dùng điốt. úhg dụng quan trọng của điốt là: a) Chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành một chiều nhờ các sơ đồ cơ bản sử dụng các loại điốt khác nhau (điốt có điều khiển và điốt không điều khiển).
4. biên độ điện áp ờ một giá trị ngưỡng cho trước. c) Ổn định giá trị điện áp một chiều ở một ngưỡng xác lập Uz nhờ đánh thủng tạm thời (zener). Mô hình gần đúng để mô tả điốt trong các mạch điện được xem như: a) Là một nguồn điện áp lý tưởng có nội trở bằng không khi điốt chuyển từ trạng thái khoá sang mở tại mức điện áp U^K= Up. b) Là một nguồn dòng lý tưởng có nội trở rất lớn khi điốt chuyển từ trạng thái mở sang khoá tại mức điện áp = oV c) ở chế độ xoay chiều khi tần số tín hiệu còn đủ thấp, điốt sẽ tưcmg đương như một điện trở xoay chiều được xác định theo biểu thức (1-2) dưới đây: ( 1-2) Còn khi' tần số tín hiệu đủ cao, cần chú ý tới giá trị điện dung ký sinh của điốt Cd, nó được mắc song song với điện trở xoay chiều r^. 1.2. BÀJ TẬP CÓ LỜI GIẢI Bài tập 1-1. Xác định giá trị thế nhiệt (U-r) của điốt bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ môi trường 20°c. Bài giải Từ biểu thức cơ bản dùng để xác định thế nhiệt u ,= iĩ q Trong đó: - k = 1,38.10' — , hằng số Boltzman; K - q = 1 , 6 . điện tích của electron; - T nhiệt độ môi trường tính theo độ K. Tĩiay các đại lượng tưcíng ứng vào biểu thức ta có: U, = ⁼ M . 2 5 . 2 7 , n V ^ q 1,6.10"'’
5. Xác định điện trở một chiều Rj3của điốt chỉnh lưu với đặc tuyến V-A cho trên hình 1-1 tại các giá trị dòng điện và điện áp sau: = 2mA Uo = -10V. Bài giải a) Trên đặc tuyến V-A của điốt đã cho tại Iß = 2mA ta có: Ud= 0,5V nên: K = — = u.. 0,5 Id 2.10 -3 = 250Q b) Tương tự tại Uq= -lOV Ta có Id= l|iA nên; 10 R„ Hinh 1-1 = 10MQ. tập 1-3. Xác định điện trở xoay chiều của điốt chỉnh lưu với đặc tuyến V-A cho trên hình 1-2. a) Với Id= 2mA b) Với Id= 25mA. Bài giải a) Với Ij) = 2mA, kẻ tiếp tuyến tại điểm cắt với đặc tuyến V-A trên hình 1-2 'a sẽ có các giá trị Ij3và Up tương ứng để xác định AUß và AIp như sau: ỉ„ = 4niA; U^ = 0,76V ẩ In(mA) Ip = OrnA; ưp = 0,65V AIp = 4m A - OmA = 4m A AUd = 0 ,7 6 V -0 ,6 5 V = 0,11V Vậy: " AI„ 4.10-’ 30 25 20 10 AI. AI, u (v; ---► 0 0,2 0,4 0,60,7 0,8 1,0 Hinh 1-2
6. = 25mA. Các bước tương tự như câu a) ta xác định được các đại lượng tương ứng dưới đây: Id= 30mA; ƯD= 0,8V Id= 20mA; Ud= 0,78V AIjj = 30 - 20 = lOmA Aưd = 0,8 - 0,78 = 0,02V V â y , = ⁼ =2«. AI„ 10.10'' 04 ) Bài tập 1-4. Cho đặc tuyến V-A của một điốt như trên hình 1-2. Xác định điện trở một chiều tại hai giá trị dòng điện. a) Ij5= 2mA. b) Iq = 25mA và so sánh chúng với giá trị điện trở xoay chiều trong bài tập 1-3. Bài giải Từ đặc tuyến V-A trên hình 1-2 ta có các giá trị tưoìig ứng sau; a) Id = 2mA; ƯD= 0,7V Nên: R . = ^{= -} = 3 5 0 Q AL 2.10 so với = 27,5Q. b) Id = 25mA; ƯD = 0,79V Nên: R ,= ^{= -} ^ = 3 1 ,6 2 Q '* AL 25.10"' so với = 2 Q. Bài tập 1-5. Cho mạch điện dùng điốí như hình l-3a và đặc tuyến V-A của điốt như trên hình l-3b. a) Xác định toạ độ điểm công tác tĩnh Q[Ư£)o; liX)]- b) Xác định giá ừị điện áp trên tải Ur. Bài giải a) Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có: 8
7. = 0 hay E = Uo + ư, Đây chính là phưcrtig trìnhđườna tải mội chiều củci mạch diện dùng điỏì trên. Dựng đường tải một chiều thông qua hai điểm cắl trên trục lung với U|) = ov và trên trục hoành với Ip = 0. Tại ưp = 0 ta có E = 0 + IpR, Nên: ĨD=- E lOV R 10'o = 10mA Tại I|J= 0 la có lì = U|J + (OA).R, Up = E| -lOV Ịíi)■<’ Đường tải rnột chiều (R_) được dựng như trên hình 1-4. Đường tải một chiều (R_) cắt đặc tuyến (V-A) tại đicm công tác tĩnh Qflix> UdoIvới toạ độ tưcmg ứng: I[)0 = 9,25m A Upo = 0,78V b) Điện áp rơi trên tải R, sẽ là:
8. =9,25.10-M0’=9,25V Hoặc Ur, c ó thể được tính: Ur, = E -U do= 10-0,78 = 9,22V Sự khác nhau trong hai kết quả trên do sai số khi xác định theo đồ thi biểu diễn đặc tuyến V-A đối với điốt trên hình 1-3 và hình 1-4. Bài tập 1-6. Tính toán lặp lại như bài tập 1-5 với R, = 2kQ. Bài giải a) Từ biểu thức: E lOV R 2kQ = 5mA U^ = E = 10V Đường tải một chiều (R_) được dimg như trên hình 1-5 và ta được toạ độ điểm Q[Ido; UdoI tưcmg ứng: Ido= 4,6mA Udo= 0,7V b) Điện áp rơi trên tải R, sẽ là: =1^ .R, =IdoJR, =4,6.10-' .2.10' =9,2V hoặc = E -U do=10V-0,7V=9,3V ©7 ] Bài tập 1-7. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách tuyến tính hoá đặc tuyến Volt-Ampe cho trên hình l-3b và điốt loại Si. Bài giải Với việc tuyến tính hoá đặc tuyến V-A của điốt trên ta vẽ lại đặc tuyến đó như trên hình 1-6. 10
9. một chiều (R_) cho mạch tương tự như trong câu a) của bài tập 1-5 và được biểu diễn trên hình 1-6. Đường tải một chiều đặc tuyến V-A tại Q với toạ độ tưoíng ứng. Ido= 9,25mA U do = 0,7V. Hình 1-6 ( 8 j Bài tập 1-8. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-6 bằng cách tuyến tính hoá đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si. Bài giải Với việc tuyến tính hoá đặc tuyến V-A của điốt trên ta vẽ lại đặc tuyến đó như trên hình 1-7. Dựng đưòng tải một chiều (R_) cho mạch tương tự như trong câu a) của bài tập 1-6 và được biểu diễn trên hình 1-7. Đường tải một chiều (R_) cắt đặc tuyến V-A tại Q. Với toạ độ tương ứng: Ido~ 4,6rnA = 0,7V. Bài tập 1-9. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách lý tưởng hoá đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si. Bài giải Với việc lý tưcmg hoá đặc tuyến V-A của điốt, ta có nhánh thuận của đặc tuyến trùng với trục tung (Ip), còn nhánh ngược trùng với trục hoành (Ud) như trên hình 1-8. Hình 1-7 11
10. một chicu (R_) cho mạch tương tự như Irong câu a) của bài lập 1-5. Đường tải một chiều cắt đặc tuyến V-A tại điểm Q với toạ độ tưcyng ứng: ỉno = iOmA U,K, = OV. Đường tải một chiều (R_) được biểu diễn nhưtrên hình 1-8. Bài tập 1-10. Cho mạch điện dùng điốt loại Si như hình i-9. Xác định các giá trị điện áp và dòng điện Uq. U|(, I|y Bài giải Biết rằng để điốt loại Si làm việc bình thường ngưỡng thông nằm trong khoảng lừ 0.5V -r 1,25V. Chọn ngưỡng ìàm việq cho điốt: U„ = 0,7V; E = 8V. Điện áp rơi trên điện irở tải R sẽ là: U, = E-Up = 8-0,7 = 7,3V Hình 1-9 Dòng điện chảy qua điốt I|) = 1,;, (dòng qua tái R) sẽ ỉà: Id= Iu = -'= ^{= -} ^ = 3.32mA " ' R 2,2.10' Bài tập 1-11. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-10. Xác định điện áp ra trên tải ư„ và dòng điện Idqua các điốt Dị, Dj. Bài giải Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D| và D, lương ứng. =0,7V dối vớiđiốtSi 12
11. điốt Ge. Điện áp ra trên tải sẽ là: = 12-0,7-0,3= liv. Dòng điện qua các điốt D|, Ip Dj Si D, Ge E . L + 12V u 5,6kQ ra và E sẽ là: r r 11 Hình 1-10 R 5,6.10 l,96mA. (¹ Bài tập 1-12. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-11 Xác đinh các điên áp và dòng điên u„, Up , Ij3. Bài giải D,Si D.Si •— ►— ¿1— ki— 12V R- 5,6kQ Hình 1-11 Id Uo,=OV I„=I,,=I,=0A=I, —•—• u.rn 12V D. D2 r : 5,6kfí ĩT uR ra Hình 1-12 Do D| được phân cực thuận, còn Dtđược phân cực nghịch, ta vẽ lại sơ đồ tương đương của mạch với giả thiết cả hai điốt đều lý tưcmg như trênhình 1-12. Khi đó; u„ = Id.R = Ir.R = OA.R = ov Vì điốt D, ở trạng thái hở mạch nên điện áp rơi trên nó chính là điện áp nguồn E: U „,=E -I2V Nếu theo định luật Kirchoff ta cũng sẽ có kết quả như trên. E -U D, =0 u„ =E-U „,-U ^ = I2 -0 -0 = 1 2 V .D-, D, ra • 13
12. - DSi E,=10VR 4,7kQ (¹ Bài tập 1-13. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-13 Xác định các dòng điện và điện áp I, U|, Ư2, u ư ,. 0’ 1—VW^->— + L R, 2,2kQ E,^{IO V R, I E3=-5V I + R, u. E ,Ậ : 5V Hình 1-14Hình 1-13 Qiọn điện áp ứiông cho điốt D loại Si 0,7V tavẽ lại sơ đồ trên nhưhình 1-14. Dòng điện I được tính: ,} E . E - U „ (1 0 .5 -0 ^{) R,+R2 (4,7+2,2)10} Điện áp U|, Ư2tương ứng trên R|, R, sẽ là: u, =IR, =2,07.10'4,7.10^ =9,73V Ư2 =IR2 =2,07.1012,2.10^ =4,55V Điện áp ra sẽ là: u„ = Ư2 - E, = 4,55 - 5 = -0,45V Dấu trừ (-) trong kết quả biểu thị rằng cực tính của điện áp ra (U„) sẽ có Bài giải Chọn giá trị điện áp thông cho các điốt D ị, loại Si 0,7V. Sơ đồ 1-15 được vẽ lại như hình 1-16. Dòng điện I được tính R I = H ⁼ = i ^ = 2 8 , 1 8 m A R 0,33.10' 14
13. 1-16 Nếu chọn Dị và D, giống nhau ta có dòng qua chúng sẽ như nhau và tính được; I =I Q g D, D, ^{ọ ’ Điện áp ra chính là điện áp thông rơi trên điốt D| và D, U„ = 0,7V Bài tập 1-15. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-17. Xác định dòng điện I chảy qua mạch. Bài giai Dưới tác động của hai nguồn điện áp E| và Eị. D| được phân cực thuận, còn Dọ được phân cực nghịch, ta vẽ ỉại sơ đồ tương đưong như hình 1-18 dưới đây: Si I R E|=20V 2,2kQ Si — N— 1 D. D, - i E,=4V + - ►}ẠA— R 2.2kn E, -4:^0 V -^E2=4V Hình 1-17 Dòng điện I được tính: Hình 1-18 R 2,2.10' 15
14. 1-16. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-19. Xác định điện áp ra trên tải R. R 4rO,3V —• u. 2,2kQ ra Hình 1-20 Bài giải Vì D| và D, khác loại (D, - Si; D-, - Ge) nên khi được cấp điện áp phân cực E điốt D-, (Ge) luôn luôn thông ồ ngưỡng 0,3V, còn điốt D| sẽ luôn luôn khoá do ngưỡng thông tối thiểu của điốt loại Si là 0,7V. Sơ đồ tưong đưofng của mạch được vẽ lại như trên hình 1-20. Điện áp ra (U„) trên tải R được tính: U,, = E - u „ = 12-0,3= 11,7V. ©17 ) Bài tập 1-17. Cho mạch điện dùng điốt,như trên hình 1-21. Xác định dòng điện I„ I,, . Bài giải Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D„ ¿2 loại Si bằng 0,7V. Dòng điện I| được tính: u . 0,7 Si H>h D. R| 3,3kQ - aXat- i I E - i 20V I,= D, R. 3,3.10 3-=0,212mA d,¥ Si h 4-AAAr Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có: 5,6kfì Hình 1-21 -U « ,+ E -U „ -U „ ,= 0 16
15. 18,6V ,_ u 18,6 I=— — -^{= 3 ,3 2 m A R, 5,6.10} Theo định luật Kirchoff về dòng điện nút ta có; =1^-I ,=3,32-0,212 = 3,108mA Bài tập 1-18. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-22 (cổng lôgic OR dương). Xác định điện áp và dòng điện ra trên tải I„, u„. Bài giải Vì D ị, Dj đều là điốt loại Si, nếu chọn ngưỡng thông cho chúng bằng 0,7V thì Dị sẽ luôn luôn thông còn Dj luôn luôn bị khoá. Mạch điện được vẽ lại như hình 1-23. (1) * - i E.=10V Si ưDI (0) E, ov D, Si ■S D, u ra + E *:riov 1 t I'- 0.7V -• *- ura ra R ^{ik n Hình 1-22 Điện áp ra sẽ là: Hỉnh 1-23 U „ = E -U d,=10-0,7=9,3V I =iÌ2-=_ẼiL=9 3mA. R 1.10} Bài tập 1-19. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-24 (cổng lôgic AND dương). Xác định dòng điện ra (I„) và điện áp ra (U^) ưên tải R. Bài giải *• Chọn ngưỡng thông bằng 0,7V cho D| và D2, khi đó sơ đồ 1-24 được vẽ lại như hình 1-25, tương ứng với thông, còn D, tắt. 2- 250BTKTĐIỆNTỬ.A 17
16. i r l O V 0 , 7 V u u Ira D2 R ^{Ikn "ị^ElOV Hình 1-25 Điện áp ra chính là điện áp thông cho điốt D2 và bằng Up . Vây ta có: =0,7V. Dòng điện qua tải R cũng chính là dòng qua D2và được tính: E -U , ì= l£ l} = 9 ,3 m A . R 1.10' Bài tập 1-20. Cho mạch chỉnh lưu dùng điốt như hình 1-26. Vẽ dạng điện áp ra ưên tải R và xác định giá ưị điện áp ra một chiều sau chỉnh lưu Ujc với điốt D lý tưởng. uV 2 D R 2kQ Hình 1-26 Bài giải b) Với mạch điện cho trên hình 1-26 điốt D sẽ dẫn điện (thông) trong nửa chu kỳ dương (+) của tín hiệu vào (từ Ơ4-T/2) còn trong nửa chu kỳ âm (-) của tín hiệu vào (từ T/2^T) điốt D sẽ bị khoá hoàn toàn. Dạng của điện áp ra trên tải được biểu diễn như trên hình l-27b, còn sơ đồ tương đưofng được biểu diễn như hình l-27a. 18 2- 250BTKTĐIỆNTỬ - B
17. Hinh 1-27 b) Dien áp ra mót chiéu tren tai diídc tính: Ud, = 0,318U,„ = 0,318.20V = 6,36V 1-21. Cho mach chinh lim düng dió't nhuf trén hinh 1-28. Ve dang dién áp ra trén tai R va tính giá tri dién áp ra mót chiéu trén tái R vói dió't D thirc té'loai Si• • Uv D R 2kQ a) Hinh 1-28 Bái giái Vói dió't D thuc (khdng 1;^{tucmg) nói tróf cüa dió't khi phán cuc veri tiimg nífa chu ky cüa tín hiéu váo sé có giá trj xác láp. Khi dió't thóng nói trd cüa D rát bé con khi D khoá sé tuofng úng rát lón. Vi váy dang dién áp ra diroc biéu dién nhir trén hinh 1-29. Dién áp ra mót chiéu trén tái R duoc tính: = -0,318(U,„ - U}) = -0,318(20-0,7) = -6,14V Hinh 1-29 19
18. với trường hợp D lý tưcmg trong bài 1-20 điện áp ra giảm 0,22V tương đưofng 3,5%. ( 2^ Bài tập 1-22. Tính toán lặp lại bài 1-20 và 1-21 với giá trị = 200V và rút ra kết luận gì? Bài giải Đối với điốt D lý tưởng ta có: u.,, = 0,318U^ = 0,318.200V = 63,6V Đối với điốt D thực (không lý tưởng) ta có: U,, = 0,318(U™,-Uo) = 0,318 (200-0,7) = 63,38V Kết luận: Khi điện áp vào có mức lớn = 200V). Đối với trường hợp điốt thực, điện áp ra một chiều giảm 0,22V tương đương 0,3459% ít hơn 10 lần so với kết quả trong bài 1-21 khi có mức bé ( u l = 20V). (² Bài 1-23. Cho mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dừig điốt như trên hình 1-30 a) Vẽ dạng sóng sau chỉnh lưu trên tải R,. b) Tính giá trị điện áp ra một chiều trên tải Uj,,. c) Tính giá trị điện áp ngược đặt lên Dị và Dj. Bài giải a) Đây là mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng điốt. Để dễ dàng nhận biết trạng thái làm việc của mạch ta vẽ lại sơ đồ tương đương khi các điốt 20
19. từng 1/2 chu kỳ của tín hiệu vào. Ví dụ: với 1/2 chu kỳ dương của tín hiệu vào (từ O-^{T/2) sơ đồ tương đương được biểu diễn trên hình 1-31. + a) b) + + R. .> ư > *'•' <2,2k<:ì : < 2.2k ỉìi c) ÌRj2.2kO t(s) d) Hình 1-31 b) Giá irị điện áp một chiểu trên tải R( sẽ là: =0,63U,„ =0,636}: ♦ U.,(V) u.. 5 __ 0 T 7 t(s) 2 e) = 0,636.5 = 3,18V Dạng điện áp ra sau chỉnh lưu đầy đủ cả hai nửachu kỳ nhưtrên hình 1-3le). c) Điện áp ngược đậl lên D|, D, đúng bằng điện áp ra cực đại u,,„„ trong từng 1/2 chu kỳ hay bằng 1/2 trị cực đại cũa điện áp vào và bằng 5V. (² Bài tập 1-24. Cho mạch điện dùngđiốt nhưhình 1-32 (mạch hạn biên nối tiếp) Vẽ dạng điện áp ra trên tải R: 21
20. Hình 1-32 b) 5V U R U Giả thiết điốt D lý tưởng, dễ dàng nhận thấy D luôn luôn thông với 1/2 chu kỳ dương (+) của điện áp vào. Mạch điện tương đương lúc này được vẽ như trên hình 1-33. Điện áp ra sẽ là: = Uy + 5V và điốt D sẽ thông cho đến thời điểm Uy giảm xuống đến -5V ở nửa chu kỳ âm. Sau khoảng thời gian đó điốt D sẽ ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua điốt và qua tải R luôn bằng không, nên điện áp ra cũng sẽ bằng không (tương ứng với mức điện áp vào Uy < -5V. Khi U y > -5V cũng tưcnig ứng trong khoảng nửa chu kỳ âm của tín hiệu vào, tức khi Uv > -5V điốt D thông trở lại và quá trình sẽ lặp lại như phântích trên. . Dạng điện áp ra được biểu diễn như trên hình 1-34: Hinh 1-33 ' UJV) 25 ^{=20V+5V=25V 5 // — 71---- J -5 2 Hình 1-34 b) ^2} Bài tập 1-25. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-35. Vẽ dạng điện áp ra trên tải R. 22
21. ^{U=5V u. u + R u t(s) ra a) Hinh 1-35 Bài giải b) Giả thiết điốt D lý tưởng.' Trong khoảng thời gian từ O-í-T/2 với Uv = 20V điốt D thông hoàn toàn, sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như trên hình 1-36 và điện áp ra sẽ là: U,=25V ư„=OV Hình 1-36 = Uv + u = 20 + 5 = 25V Trong khoảng thời gian từ T/2 T T với Uy = -lOV điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá, sơ đồ điện tưcfng đưcmg được vẽ lại như trên hình 1-37 và điện áp ra trên tải R lúc đó sẽ là: Hình 1-37 U}, = Ir.R = O.R = ov Dạng điện áp ra trên tải R được biểu diễn như trên hình 1-38. Bài tập 1-26. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-39 (mạch hạn biên song song). Vẽ dạng điện áp ra trên tải R,. 'U„(V) 25 T 0 r ■ t(s) 2 Hình 1-38 23
22. thiết điốt D lý tưỏng, nó sẽ thông khi điện áp vào Uy ^{4V, nghĩa là toàn bộ 1/2 chu kỳ âm (-) của điện áp vào và một phần của 1/2 chu kỳ {+) dương của điện áp vào vói Uv < 4V. Sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như trên hình 1-40 và ữong khoảng thời gian đó điện áp ra luôn luôn bằng nguồn u = = 4V. R ■vw R ' • + ỈJ-. ■t4V + Hình 1-40 Trong khoảng thời gian khi Uy > 4V, điốt luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện áp ra trên tải sẽ lớn hơn 4V và bằng điện áp vào. Sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như hình 1-41. Dạng điện áp ra được biểu diễn như ưên hình 1-42 dưới đây. ( 27} Bài tập 1-27. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-43. Vẽ dạng điện áp ra khi dùng điốt D loại silic với Ud = 0,7V. vị ura 4V Hình 1-41 Hình 1-42 24
23. Si U. U-Ì-4V Ura R AA/V- b) Bài giải Với điốt thực, ngưỡng thông cho trong đầu bài Uo = 0,7V mạch điện được vẽ lại như hình 1-44. TTieo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có: Uv + U d - U = 0 hay Uv = U - Uo = 4 - 0,7 = 3,3V Với Uv > 3,3V điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện áp ra sẽ đúng bằng điện áp vào (Uv). ư. U „ị'o,7V Tĩ u -iAv ™ Hình 1-44 Hình 1-45 Với điện áp vào Uv < 3,3V điốt ở trạng thái thông hoàn toàn nên điện áp ra sẽ !à: U,, = 4 - 0,7 = 3,3V Dạng điện áp ra được biểu diẻn như hình 1-45. /2^) tập 1-28. Cho mạch điện dùng điốt zener như hình 1-46 và đặc tuyến V-A của zener như trên hình 1-47. a) Xác định các giá trị điện áp Ur, u„ dòng điện Iz qua zener và công suất tiêu tán trên zener Pz- b) Lặp lại tính toán trong câu a, khi thay R, = 3kQ 25
24. giải a) Để thuận tiện cho việc tính toán các thông số của mạch ta vẽ lại sơ đồ tưong đương như hình 1-48. Từ hình 1-48 ta có: u R L IkQ ^{1^16V u"" l,2kQ}' U = U, = ^{' R+R, •R Hình 1-48 16V.1,2.10’ - = 8,73V 1.10}+1,2.10 Điện áp ư = u, đặt lên zener bằng 8,73V luôn luôn nhỏ hơn ư y = lOV nên zener luôn luôn ở trạng thái khoá và I7 = OA. Điện áp sụt trên R sẽ là: Ur=Uv-u, =16-8,73 =7,27V Công suất tiêu tán trên zener là: p^ = U2.Iz = U z.0 = 0W b) Với R, = 3kQ. Điện áp u trên sơ đồ hình 1-48 sẽ là: U = - H ^{. R , = 4 5} = , 2 V R+R, ‘ 1.10’+3.10’ 26
25. đặt lên zener u = 12V > Ư2 = lOV nên zener sẽ được mở thông. Sơ đồ mạch điện được vẽ lại như hình 1-49. Điện áp trên tải R, chính bằng điện áp Jj và bằng lOV I-- --*--- 1 + = U. = U,. 16-10 = 6V I, =^{= „ = 3,33mA ' R. 3kQ Hình 1-49 I, u„ 6V 6mA U}=50V V R IkQ . I, = 6 - 3,33 = 2,67mA = Uz.Iz = 10V.2,67mA = 26,7mW Thấp hơn trị cực đại cho phép = 30mW. Bài tập 1-29. Cho mạch ổn áp dùng zener như hình 1-50. a) Xác định khoảng giá trị điện trở tải R, và dòng điện qua tải R, sao cho điện áp ra trên nó luôn luôn ổn định U„ = Ư2 = 10V = U,. Hình 1-50 b) Xác định công suất tiêu tán cực đại trên zener. Bài giải a) Ta biết rằng zener bắt đầu thông khi điện áp ngược đặt lên nó u >U2- (hình 1-47 hay 1-48). Khi đó điện trở tải cực tiểu R,^{i„ được xác định; - Iz.ax=32mA R = -} u.,-u. 50-10 250Q Chú ý: Khi dòng qua zener cực tiểu (lý thuyết thì = 0), dòng qua tải tương ứng có giá trị cực đại Với điện ápổn định trên tải u, = U2thì 27
26. đó giá trị R, được xác định chính là R,„j„ để điện áp ra trên tải không đổi u, = = const. Điện áp rơi trên điện trở hạn chế R sẽ là: U r = U v - U z = 50- 10 = 40V I _ U r_ 4 0 V _ ^{Và L =} = - ^ = 4 0 m A " R IkO Dòng điện cực tiểu trên tải sẽ là: U = lR-I,n,ax = 40-32 = 8mA Điện trở tải cực đại sẽ là: R u 10 T=1250fì=l,25kD I.min 8-10(iY)in Đồ thị biểu diễn vùng ổn áp của mạch vẽ trên hình 1-51. f U,(V) t U,(V) 250n l,25kn R, 0 a) Hinh 1-51 b) Công suất tiêu tán cực đại trên zener sẽ là; Pzmax = u , . = lOV . 32mA = 320mW b) z **Zmax. 030 ) Bài tập 1-30. Cho mạch điện dùng điốt ổn áp (zener) nhưtrên hình 1-52. Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn luôn ổn định và bằng lOV = Uz- Bài giải Ta biết rằng với R, = const (cố định) điện áp thông cho zener bắt đầu từ ư > Uz đặt lên zener. Từ sơ đồ ta có; ' R+ R. ' 28
27. = UvR, Nên R. R Vmin Thay các giá trị Uz, R, R, ta xác định được được Uvminlà: __j^a a .. _ Ì r L 220 ũ Uy=? ƯJ,=20V í ^{R. < -Jzmax=60rnA Hình 1-52 U ,„ ,= 2 0 .ítH 5 l±} = 2 3 ,6 7 V Dòng qua tải sẽ là , , = i = i = ^{= , 6 . 6 7 m A ' R, R, 1200 Dòng điện cực đại qua R sẽ là: Inmax“ ■^^Zmax~ 16,67 + 60 = 76,67mA Điện áp vào cực đại sẽ là: fư,(V ) 20V . Ư„(V) 23,67 36,87 Hình 1-53 Uvmax~ “} •ỈR m a x Uz = 220. 76,67.10-^ + 20 = 36,87V Đồ thị biểu diễn vùng ổn ápcủa mạch được biểu diễn nhưtrênhình 1-53. 1.3. ĐỀ BÀI TẬP Bài tập 1-31. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-54. Xác định dòng điện I với điều kiện đặc tuyến V-A của điốt được tuyến tính hoá. Si 12V p. lỌỌ ÃĂ/V—► I R, a) b) Hình 1-54 c) 29
28. 1-32. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-55. Xác định giá trị dòng điện qua điốt Iu và điện áp ra trên tải R. -5V Si ura 2,2kQ a) Hình 1-55 b) ³ Bài tập 1-33. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-56. Xác định giá trị điện áp ra 20V Si Ge 2kn ura E ^{lOV R, Si ■'Wsr-ộị-f l,2kQ u R, 2kQ a) Hình 1-56 R2^4,7kQ b) ( 3} Bài tập 1-34. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-57. Xác định giá trị điện áp ra u,;, và dòng điện qua điốt Id- D I, I C ) iH -» Si ư ra R lOmA 2,2kQ R ,< l,2kn a) Hình 1-57 R DA H a f k . D •wv- 20V 6,8kQ b) ( ^ ) Bài tập 1-35. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-58. Xác định giá trị các điện áp u „ |, u^2. 30
29. - 1»... v w — + 12V Si 4 71^ U., R. lOV Ge Si 02$ -Ge a) Hình 1-58 l,2kn R, b) :3,3kQ Bàl tập 1-36. Cho mạch điên dùng điốt như trên hình 1-59. Xác định giá trị điện áp ra u„ và dòng điện qua điốt Id. +20V 15V Si D. ư. Si ± D, D^Ỷ Si U. Si a) Hình 1-59 R > 2,2kn E2I -5V b) Bài tập 1-37. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-60. Xác định giá trị điện áp ra và dòng điện I. EỊiov '' I E, T16V D, ị Si U. D |Ặ Si D, i Si Si I ' U. R IkD 12V a) Hinh 1-60 b) ^{^3} Bài tập 1-38. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-61. Xác định các giá trị điện áp và dòng điện I. 31
30. ^ Ikd Ỷ 0,47kQ E T 20V D2?®® raỉ I Hình 1-61 Bài tập 1-39. Oio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-62. Xác định giá trị điện áp ra và dòng điện qua điốt Iq. 04 0 ) Bài tập 1-40. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-63. (Cổng OR lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u,a. Si 04 1 ) Bài tập 1-41. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-64. (Cổng AND lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u„. 32
31. - . ov Si -S- R Ưra ^{2,2kQ HInh 1-64 (^4} Bài tập 1-42. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-65. Xác định giá trị điện áp ra lOV Si -KJ- Si Ụ lOV Hình 1-65 ( 4^ Bài tập 1-43. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-66. Xác định giá trị điện áp ra u„. Si 04 4 ) Bài tập 1-44. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-67. Vẽ dạng điện áp ra trên tải R, và dòng điện Ir. 3- 250BTKTĐIỆNTỬ - A 33
32. A A A 10 Ikn 0 -10 2 y - a) Hình 1-67 + b) (⁴ Bài tập 1-45. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-68. a) Xác định điện áp ra một chiều trên tải. b) Xác định giá trị điện áp ngược đặt lên các điốt. a) dc 046 ) Bài tập 1-46. Qio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-69. a) Vẽ dạng điện áp ra trên tải. b) Xác định giá trị điện áp ra một chiều Ujj.. ‘ U^(V) 100 Uv 0 T / t t(s) -100 2 y - a) Hinh 1-69 b) 34 3- 250BTKTĐỊỆNTỬ.B
33. 1-47. Cho mạch điện dùng điốt như ừên hình 1-70. Vẽ dạng điện áp ra trên tải Rị và xác định giá trị điện áp một chiều trên tải R,(U<fc). ‘ U^(V) 170 0 t V ỵ-p t(s) -170 2 v y - R,2,2kn 2,2kQ a) Hình 1-70 b) ( 4^ Bài tập 1-48. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-71. Vẽ dạng điện áp trên tải. D R1 I —w v Uy Si 2,2kfì a) Uv Si 5V ư ra b) Hình 1-71 c) ^{^4} Bài tập 1-49. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-72 a) Xác định các giá trị Uị, I„ và Ir với Rị = 180Q. b) Lặp lại tính toán như câu a) vói R, = 470Q. c) Xác định khoảng biến đổi R( sao cho mạch vẫn luôn luôn ở trạng thái ổn áp u, = Uj. 35
34. n 20V U=10V í í R . | •— Pzrnax=400mW + u. Hình 1-72 ( 5^ Bài tập 1-50. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-73. Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn ổn định U, = U, = 8V. R •- ^A----- - 91Q P ^ „ = u , U =8V i Pz.ax=400mW_ í ro,22ko Hình 1-73 Bài tập 1-51. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-74. Xác định giá trị điện áp ra một chiều trên tải với trị hiệu dụng điện áp xoay chiều trên thứ cấp của biến áp bằng 120V = Ui (rms). Hình 1-74 Bài tập 1-52. Cho mạch điện như hình 1-75. Biết u„= lOV R„ = 20kQ 36
35. kQ R, = 5 kQ Giả thiết điốt là lý tưởng, Khi thông điện trở thuận R,h = OQ Khi tắt điện trở ngược R„g = ooQ Hãy xác định điện áp trên R,. - vw - 'J .© D R, R. Hình 1-75 Bài tập 1-53. Cho mạch điện chỉnh lưu nửa chu kỳ như hình 1-76. Nếu biết u„ = sincot; giả thiết điốt D là lý tưởng. Hãy xác định biểu thức điện áp trên R,. K AAAr D R, u, Hình 1-76 Bài tập 1-54. Cho mạch điện dùng điốt Zener như hình 1-77. BiếtU, = 8,2V, dòngl,= lA R, = lOQ. Tính điện trở bù R, để đảm bảo u ; = ư, = 8,2V khi điện áp u tha) doi 10% quanh giá trị u = 12V. R. +•- t ư ị A/W ạ R. Hình 1-77 37
36. Đề và sơ đồ lặp lại bài 1-77. - Xác định điện áp trên Rj. - Xác định dòng qua điốt Zener Dj. - Xác định công suất tiêu tán trên D^. Bài tập 1-56. Cho mạch điện như hình 1-78. Nếu biết điện áp một chiều là 12V, điện áp trên LED là 2V, dòng qua LED là 20mA. a) Hãy xác định điện trở hạn chế Rị. b) Nếu mắc song song 10 LED thay cho một LED trong sơ đồ. Hãy xác định điện t r ở c ầ n thiết. +> Ị Îư Hlnh 1-78 38
37. cực VÀ TRANSISTOR TRƯỜNG 2.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT Transistor lưftig cực (BJT) gồm ba lớp bán dẫn p và N ghép xen kẽ nhau; tuỳ thuộc vào các tiếp giáp P-N mà hình thành hai loại transistor: P-N-P (transistor thuận) và N-P-N (transistor ngược) như ký hiệu trong hình 2-1. + c I B c ỉ. B - t Transistor riguợc Transistor thuận a) N-P-N b) P-N-P Hình 2-1. Ký hiệu hai loại transistor N-P-N và P-N-P Chiều của dòng điện một chiều chạy qua transistor được chỉ tronghình vẽ trùng với chiều mũi tên quy ước cực emitơ. Để làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp nguồn E được cấp cho cựcE- c tuỳ thuộc vào loại transistor được chỉ trong hình 2-1. Điện áp phân cực cho tiếp giáp B-E phải luôn là phân cực thuận, tức là đối với transistor N-P-N cực haza phải dương so vói cực emitơ, ngược lại, đối với transistor thuận P-N-P cực B phải âm hơn so với cực E. Trong cả hai loại transistor, các dòng điện đều có thể coi như tập trung tại một nút Ie+ Ic + Ib= 0 hay Ie= Ic + Ibvà Ig « Ig, ic 39
38. mắc sơ đồ cơ bản của transistor là emitơ chung (EC) bazơ chung (BC) và colecto chung (CC) căn cứ vào cực nào được lấy làm điểm chung cho cả đầu vào và đầu ra. Trong các sổ tra cứu và thuyết minh thường cho các thông số và đặc tuyến theo sơ đồ mắc EC hay BC. Đối với sơ đồ mắc BC dòng điện vào là Ig, dòng điện ra là Ic, hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh a được xác định: a = Ì £ = _ k _ < i h I c + I b thực tế hệ số a vào khoảng (0,9 ^{0,99). Đối với chế độ xoay chiều, khi điểm làm việc thay đổi trên đặc tuyến ra, hê số khuếch đai dòng xoay chiều a = trong đó A I e là biến thiên dòng điện emitơ còn AIc là biến thiên dòng colectơ. - Sơ đồ mắc emitơ chung (EC): dòng điện vào là dòng Ig, dòng điện ra là dông Ic- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh được xác định; tuỳ thuộc vào loại transistor p có giá trị từ vài chục đến hàng trăm lần. Ic và Iblà giá trị dòng điện tại điểm làm việc tĩnh. ở chế đô xoay chiều hê số p đươc xác đinh p = . AIb Nếu biết hệ số khuếch đại a có thể xác định được hệ số p và ngược lại: a =} v à p = “ p + 1 " 1 - a Ngoài ra còn các tham số khác như điện trở vào, điện trở ra, hỗ dẫn... Các tham số của trahsistor cũng có thể xác định gần đúng bằng phương pháp đồ thị dựa vào đặc tuyến của transistor. 40
39. ra R„ = rcB= ^ AI, Để transistor lưỡng cực làm việc bình thường ngoài điện áp cung cấp E cho cực E và c cần một điện áp phân cực một chiều đặt vào Bazơ-Emitơ gọi là thiên áp. Điện áp này dùng để thiết lập chế độ một chiều và điểm làm việc tĩnh. Thiên áp ban đầu UggQsẽ quyết định dòng điện tĩnh, độ khuếch đại, độ méo. uB£o«(0,24-0,6)Vđối vói transistorGe UggQ»(0,54-1,0)Vđối vớitransistorSi. Có ba cách tạo thiên áp cho transistor. - Tạo thiên áp bằng dòng bazơ (hình 2.2a) TTiiên áp UggQ được xác định Suy ra điện trở R| cần thiết E -U -^BEO BO Trong đó: E là điện áp nguồn; Ug£Q là thiên áp cần tạo ra; IgQ là dòng bazơ xác định theo UggQ trên đặc tuyến vào của transistor. a) Hình 2-2. Tạo thiên áp dio transistor lưỡng cực b) 41
40. áp bằng phương pháp phân áp (hình 2-2b) Thiên áp UggQ = Ip.Ra- Suy ra D _ ^{BEO trong đó Ip- dòng phân áp I R| +R2 Ipđược chọn bằng (4} 10)Igo Nếu cho trước ưggo xác định được Igo trênđặc tuyến vào của transistor. Điện trở R| xác định từ biểu thức: ^BO “ E - Ip.R2 = E - UggQ E -U Suy ra R, BEO ĩ p + l B O Trong trưòmg hợp có điện trở mắc ở emitơ thì trong các công thức trên phải tính đến sụt áp một chiều trên điện trở đó. - Chế độ một chiều và đường tải một chiều. Xác định điểm làm việc tĩnh 0; khi cung cấp cho bazơ thiên áp ban đầu Ubeo. thì sẽ thiết lập dòng tĩnh và điện áp một chiều Ư^EO• Toạ độ của điểm làm việc tĩnh o (Ico’UcEo)- Điểm o cũng chính là giao điểm của đường tải một chiều với đưòng đặc tuyến ứng vói dòng Igo (hình 2-3). a) b) Hình 2-3. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b) 42
41. một chiều là sự phụ thuộc dòng Ic vào điện áp ứng với điện trở tải một*chiều và được xác định theo biểu thức; u „ = E - Ic.R= £ Cách dựng: Cho = 0 -> I,, = — , xác đinh đươc điểm B. Cho = 0 ^ u„ = UcE = E, xác định được điểm A. Nối điểm A với B được đường tải một chiều. - Đường tải xoay chiều R_, cũng được xây dựng trên đặc tuyến ra nhưng đối với điện trở tải xoay chiều, tức là khi có tín hiệu vào, đó eũng là đường thẳng và đi qua điểm làm việc tĩnh o. Cách dựng: Từ điểm U^gQ trên trục hoành, cộng thêm một điện áp bằng I(,qR_ , được điểm A'. Kẻ đường thẳng qua hai điểm o và A', được đường tải xoay chiều. E Cũng có thể xác định dòng !(, = — được điểm B' trên trục tung, kẻ đường qua B' và o cũng nhận được đường tải xoay chiều. Trong các bài tập áp dụng, có thể sử dụng một trong hai cách trên, tuỳ từng trường hợp cụ thể. - Transistor trường (FET) là loại transistor được chế tạo dựa vào hiệu ứng trường, đó là điều khiển độ dẫn điện của bán dẫn loại N hay p, nhờ một điện trường bên ngoài. Có hai loại FET - đó là J-FET (điều khiển bằng tiếp xúc P-N) và MOSPET là loại FET có cực cửa cách ly bằng lớp ôxit. Hình 2-4 là ký hiệu JFET kênh N và kênh p. G D D a) J-FET kênh N b) J-FET kênh p Hình 2-4. J-FET kênh N và kênh p 43
42. - cực máng G - cực cửa. Vì phân cực cho cực cửa của J-FET luôn là phân cực ngược nên điện trở vào rất lớn và dòng điện ly = Iq = 0; Iß = Ij. Dòng Iịj được điều khiển bằng điện áp đặt vào cực cửa Uqs và được xác định bằng biểu thức: uOSK trong đó U gs là điện áp bất kỳ đặt vào G-S; Ugsklà điện áp khoá ứng với dòng Iq= 0. Quan hệ giữa Ijj và Uqs được diễn tả bằng đặc tuyến truyền đạt còn quan hệ Iq = f(ƯDs) với các trị số Uqs khác nhau được gọi là họ đặc tuyến ra. Đây là hai đặc tuyên đặc trimg cho FET, căn cứ vào đó, có thể xác định gần đúng các thông số của FET- b) Hình 2-5. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N Hỗ dẫn của FET: g„ = hay mS (milisimen) chi’ rõ khi điên AUqs V áp đặt vào cực cửa thay đổi IV thì dòng Iß thay đổi bao nhiêu mA. MOSFET gồm hai loại: MOSFET kênh đặt sẵn và MOSFET kênh cảm ứng. - MOSFET kênh đặt sẵn; kênh dẫn điện loại N hay p hình thành ngay từ khi chế tạo. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyện ra chỉ dẫn trong hình 2-6a, b. 44
43. tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh N đặt sẵn Căn cứ vào đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra có thể xác định gần đúng các thông số của MOSFET. - MOSFET kênh cảm ứng: chỉ khi đặt vào cực cửa điện áp ngoài (kênh N là điện áp dương), thì kênh dẫn điện mới hình thành và mói có dòng điện chạy qua (hình 2-7). Phân cực cho FET. Có hai phương pháp phân cực (tạo thiên áp) phổ biến cho FET: tạo thiên áp tự cấp và dùng phân áp. b) Hình 2-7. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh cảm úhg N Phưcmg pháp tự cấp sử dụng ngay dòng ĩj) chạy qua Rs tạo sụt áp và dẫn qua điện trở Rq đặt vào cực cửa G (hình 2-8a). 45
44. Urs=Id-Rs=Uqs;cực(+) đặtvàocựcs vàcực(-) đặtvàocựcG. Rị - gọi là điện trở tạo thiên áp. Rq- là điện trở dẫn thiên áp; Ro có trị số lớn hàng chục hoặc trăm kQ. R , = - ^ Hình 2-8. Tạo thiên áp cho J-FET Hình 2-8b là sơ đổ tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp. Điện áp trên cực cửa ƯQđược xác định ƯG=— ~— Ra R.+Ra Uo là điện áp cực G so với đất. U gs = U o - U 3 = ư g - I oR s Mạch phân áp cho MOSFET kênh N đặt sẵn cũng tương tự như hình 2- 8b. Riêng đối với MOSFET kênh cảm ứng, việc tạo thiên áp có khác với J- FET, nó được tạo thiên áp giống như vói transistor lưỡng cực N-P-N: có thể dùng phương pháp hồi tiếp từ cực D về cực G hay dùng phưcmg pháp phân áp (hình 2-9a, b). Trongsơđồ 2-9aƯDS = U gs (vì dòng l o = 0, quaRokhông có dòng chạy qua) UdS“ E - Iq-Rq Suy ra Uq5= E - Iq.R0. Trong sơ đồ 2-9b, điện áp cực cửa so với đất. 46
45. 2-9. Tạo thiên áp cho MOSFET kênh cảm ứng N b) U g = R| +R2 •R ^{GS ~ ^D'^s ~ E R, + R2 Điện áp Uds = E = = E - Id(Rs + Rd) 2.2. PHẦN BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI ( 5} Bài tập 2-1. Một transistor N-P-N mắc theo sơ đồ BC có dòng điện L = Ig = 50mA; dòng điện Ic = 45mA. a) Xác định hệ số khuếch đại dòng một chiều a. b) Nếu mắc transistor theo sơ đồ emitơ chung (EC), hãy tính hệ số p. Bài giải a) Hệ số khuếch đại dòng một chiều a I 49 a = -^{= — = 0,98 Ie 50 b) Hệ số p tính theo a ẹ>= — = ............= 49 1 -a 1-0,98 (^5} Bàl tập 2-2. Một transistor có dòng tĩnh emitơ Ig = l,602mA; dòng tĩnh bazơ Ig = 0,016mA; bỏ qua dòng điện ngược. 47
46. dòng tĩnh colectơ Ic- b) Tính hệ số khuếch đại p, a. Bài giải Tính dòng tĩnh colectơ Ic = Ig - Ig = r,602 - 0,016 = l,586mA Hê số khuếch đai a = — = ^ = — — = 0,99 Ie Ie 1,602 Hệ số khuếch đại p lẹ _ Iẹ- I b _ 1,602-0,016 I, IB 0^016 Cũng có thể xác định p theo công thức: a 0,99 99,125 1 -a 1-0,99 = 99 59) Bài tập 2-3. Biết đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của transistor mắc theo sơ đồ emitơ chung EC như hình 2-10. Bằng phương pháp đồ thị hãy xác định: a) Hệ số khuếch đại p tại điểm làm việc A. b) Điện trở vào = ĨBE- c) Hệ số khuếch đại a nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC. d) Nếu tín hiệu vào Igthay đổi, xác định hệ số khuếch đại dòng xoay chiều. -ụm A ) 40 Ig=0,4iĩiA Ig=03mA i . . l3=0,2mA ĩp=0,lmA 0,2 0,4 0,50,6 0,8 Ugg(V) ưce(V) a) b) Hình 2-10. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor 48
47. số khuếch đại tĩnh tại điểm A. p = Ị ^{= “ : l ° Ị = 100 BO 0,2.10 -3 1..} 0,70-0,5 0,65 ^{b) Điên trở vào Rv = r,}= SS- = — — — , = — = 3,25kQ AL (0,3-0,1)10-' 0,2.10“' _BE _ B c) Nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC hệ số khuếch đại tĩnh a được xác định a = i = ^{= 0,989 1+ p 100+ 1 d) Khi dòng điện vào Ig thay đổi từ 0,1 đến 0,3mA, tìm biến thiên dòng Ic tương ứng trên đặc tuyếh ra, tính được hệ số khuếch đại p xoay chiều. / 6 _ Aĩc _ (2 8 ,5 -9 ,8 )1 0 -} A L (0 ,3 -0 ,1 )1 0 ' = 93,5 (⁶ Bài 2-4. Cho mạch khuếch đại dùng transistor như hình 2-11 Biết; Rc = 5kQ p = 5 0 điện trở vào Ry = ĩgE= IkO điện áp vào Uy = UgE= 0,1V a) Xác định dòng điện vào và dòng điện ra. b)Tmhhệ số khuếchđạiđiện ápcủatransistor. Bài giải a) Dòng điện vào 0,1 Hình 2-11 = 10"" =0,lm A Dòng điện ra: I^^{= I}= pỈ3 = 50.0,1 =5mA 4- 250BTKTĐIỆNTỬ - A 49
48. , = = Ic-Rc = 5.10^5.10^ = 25V b) Hệ số khuếch đại điện áp . 0,1 Bài tập 2-5. Đặc tuyến vào và ra của transistor có dạng như hình 2-12. a) Hãy xác định hỗ dẫn của transistor tại điểm làm việc o. b) Nếu biết điện áp ƯBE thay đổi 0,2mV, điện trở Rc = 4kQ. Hãy xác định điện áp ra. c) Tính hệ sô' khuếch đại điện áp. 1^=4,2 7 0,8 U„,(V) Ic(mA) 50^iA 40|J.A U=3,Q. 30^A 20|aA I„=10HA U c e ( V ) a) Hình 2-12. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b) của transistor b) Bài giải a) Hỗ dẫn của transistor được xác định bằng phương pháp đồ thị s = _éíc_ AUbb ’ V s =A 2 Í L - =<iÌ2M )EĨ , Í I Ẹ Ĩ =,2Í^ hay12ms - u „ , 0,7-0,60,1 V b) Nếu AUgg = 0,2V thì dòng Ic biến thiên AIc = AUBg.s = 0,2.12 = 2,4mA Điện áp ra u„ = AIc-Rc = 2,4.10 4 .10' = 9,6V 50 4- 250BTKTĐ1ỆNTỬ - B
49. khuếch đại điện áp K „ = H ^{= M = 48 “ u, 0,2 (^6} Bài tập 2-6. Transistor lưỡng cực có đặc tuyến vào và ra mắc theo sơ đồ EC như hình 2-13. Căn cứ vào đặc tuyến hãy xác định gần đúng các thông sô' sau: a) Điện trở vào tĩnh tại điểm o. b) Điện trở vào động. c) Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều p. d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều. 250 200 50 BE(V) - I b(^{A ) 40 ‘ ỈẶm A) 250fxA / 30 25, 200nA ISOuA ỹ f ! ! ... 15. , L . _ _ iüQ üA . -► 5 ’ / I«=50jiA lò U^V) a) b) Hình 2-13. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor luỡng cực Bài giải a) Điện trở vào tĩnh R = r , =4kQ '' Igo 150.10-® b) Điện trở vào động Rvd o _ - U be, _ 0 ,6 8 -0 ,5 2} V đ “ a t ^ T T AI B Ib, - I b. (200- 100)10 = l,6k Q c) Hệ số khuếch đại dòng một chiều p 51
50. số khuếch đại dòng xoay chiều p_ AI3 AIb= I3 -Ib_ =(200-100)10-^{= 100.10 Tìm AIc tương ứng trên đặc tuyến ra I„ =30mA; = 15mA AIc = (30-15).10l (200-100)10-" (6} Bài tập 2-7. Oio mạch điện như hình 2-14. Nếu biết dòng Ico = 5mA; hệ số p = 100; 5V; thiên áp Ubeo= 0,6V; E = lOV. a) Vẽ các dòng điện một chiều chạy trong mạch. b) Tính điện trở Re c) Điện áp Uc so với đất. Bài giải a) Dòng điện một chiều chạy trong mạch như chỉ đẫn trong hình 2-14. Ie = Ic + Ib b) Điện trở tạo thiên áp R| được xác định. Hình 2-14 R, E - U ^{E -U} o 10-0,6 9,4 Ibo ^co ^q-3 5.10 * p 100 188ka c) Tính điện trở R, 52
51. „ 5.10-’ d) Điện áp Uc so vái điểm mass chính là điện áp UçgQ U c= U ,,o = 5V @ Bài tập 2-8. Cho mạch điện như hình 2-14. Nếu biết R, = 220k0; Rc = 2kQ; ß = 50; ưggQ= 0,5V. Hãy xác định các thông số tĩnh: dòng Ig, Ic, Ie, điện áp Uceo • Bài giải a) Xác định dòng Igo R, 220.10' 220.10' b) Dòng Ico = ßlß = 50.34, lụK = 1,7mA c) Dòng 1^0= Ico + I b o = 1>7 + 0,0342 = 1,7342mA. d) Điện áp U^go UeEo=E-Ico.Rc=10-l,7.10"'.2.10^=6,6V Bàl tập 2-9. Mạch điện như bài 2-7 nhưng mắc thêm điện trở Re ở emitơ và biết sụt áp trênđiện trở này là IV. a) Xác định trị sô' R|, Rc, Re- b) Xác định điện áp Uc Uß so với điểm mass của máy. Bài giải a) Xác định Re U re = I eo- R e = 1 V _ IV IV 1 Suy ra Rb = — = — = ^{--- = 198Q Iro + — 5.10'}+ ~ 10-^ “ ß 100 - Điện trở R 53
52. E - ^{beo -U r, _ 10 -0 ,6 -1 ' I bo I bo 5.10-} 168kQ - Điện trở Rc ^{CO‘^C “} ^{CEO ^R, 800Q V. V.V.V/ IVJ.- Suyra: R, = = leo 5 .10-} b)Điện áp Uc = E- IcoRc=10-5.10“l800 = 6V ha y U c = U ,,/+ U ,^{=5 + l = 6V Điện áp Ub = Uggo + ƯR = 0,6 + 1,0 = 1,6V (e} Bài tập 2-10. Cho mạch điện như hình 2-15. Biết R, = 300kQ; Rh = 2,7kQ; p = 100; Ư3,o = 0,5V;E= 12V. a) Xác định các tham số tĩnh. b) Nếu mắc R, = 2,7kQ hãy tính điện trở tải xoay chiều. Bài giải a) Trước hết xác 'định dòng tĩnh bazơ I„„ R +E R. R. Hình 2-15 ■BO^'1 ' '-'BEO ' ^EO'E BEO (ở đ â y I e o = I co + I b o = I b o + P I b o = 0 + P)Ibo) E -U „ .. 12-0,5 Suyra l30 = BEO _ R, +(1 + P)Re 300.10"+(1 + 100).2,7.10^ = 20ụA - Dòng tĩnh 1^0 = lOOIgo = 100.20^iA = 2mA - Dòng tĩnh 1^0 = Ic» + Ibo = 2 + 0,02 = 2,020mA. - Điện áp trên cực E,cực c và B so với điểm mass: ra 54
53. = 2,02.10-^{2,7.10" = 5,45V Điện áp Uc = E = 12V Điện áp Ub= Ue+ = 5.45 + 0,5 = 5,95V b) Nếu mắc R, = 2,7kQ thì điện trở tải xoay chiều ở mạch emitơ. R = R //R = A ì = A Z :} = l , 3 5 k Q ^{' Re+R, 2,7 + 2,7 Bài tập 2-11. Cho mạch khuếch đại dùng ữansistor lưỡng cực như hình 2-16a. Biết E = lOV; Rc = 5kQ; Re = 0,2Rõ R, = 85kO; R , = 15kQ; =4 V ; Ico « c ; p = 50- a) Hãy xác định các tham số tĩnh của transistor. b) Điểm làm việc tĩnh ovà dựng đưòng tải một chiều. a) a) Có thể coi Suy ra: Hình 2-16 Bài giải ^EO~}<X) E -U CEO Ico = ■c ' *'E 10-4 (5 + l).10- = 10-^A = lmA b) 55
54. bazơ IgQ: - Thiên áp Ur£0 —Ip-R^ ~ ^{RE ~ ---Rt ~^E0'^EBEO p 2 RE 2 EO E 10-M0}=0,5V (15+ 85). 10^ b) Toạ độ điểm làm việc tĩnh O: = lmA;UcE0 = 4V . t)ể dựng đường tải một chiều cần xác định một điểm nữa. Từ biểu thức phương trình đưòng tải một chiều. U„= E -Ic .R c Cho Ic = 0 u„ = E = lOV (điểm A trên trục hoành) nối qua điểm A Bài giải - Điện trở tải xoay chiều R_. R. = R^//R,= Ì ⁼ = 2,5kQ Rc+R. 5+ 5 - Để đựng đường tải xoay chiều R_ cần xác định một điểm trên trục hoành hay, trên trục tung rồi nối với điểm làm việc tĩnh o. Từ điểm cộng thêm một đoạn ứng với điện áp bằng IcqR- • IcoR_= 1012,5.10^ = 2,5V ta được điểm A' trên trục hoành (hình 2-16b). Nối điểm A' với điểm ovà kéo dài sẽ được đường tải xoay chiểu. Cũng có thể dựng đường tải xoay chiều bằng cách xác định điểm B' trên trục tung E 10 ứng với dòng I „ = ——= — ——r = 4mA, rồi nối điểm B’và o. & ^ R_ 2,5.10' 56
55. tập 2-13. Cho mạch điện như hình 2-16a. Nếu E = lOV; ƯCEO= 4V ; Rg = 0,1Rc‘, Ico=20mA; Ug£Q=0,7V, từ đặc tuyến vào của transistor ứng với UggQ = 0,7V , tìm được IgQ =0,2mA . a) Xác định trị số các điện trở Rc, Re, Ri, R-> để đảm bảo được các thông số trên. b) Xây dựng đường tải một chiều. Bài giải a)Xác định trị số các điện trở Từ biểu thức: E = ^{CEO ^EO^E * ^CEO (ở đây có thể coi I^Q« IgQ để đơn giản cho việc tính toán). Suy ra + R. =-- - ggg = = 300Q} lœ 20.10“^{Re 0,1Rc = l,lRc ~ 3000 M = 272,70 1,1 Rg = 0 ,lR c = 27,2Q . - Điện trở Rj được xác định theo biểu thức: ~ '^BEO Suy ra (ở đây chọn dòng phân áp Ip= 5 Ißo) R 0.7 + 20.10-.27,27..} ^{5.1„ 5.0,2.10-’ - Điện trở R| được xác định từ biểu thức:• I ♦ • Ri(Ip+ I^q) = E - IpR2 = E - UggQ-^IgQRg " u r a r E - U „ o - I} R , _ 10 - 0,7 - 0,5 4 5 _ , 5 l" + I „ 6.0,2.10- 57
56. dựng đường tải một chiều, ngoài điểm làm việc tĩnh ođãbiết 0(20mA, 4V) cần xác định một điểm nữa. Từ phương trình UcE = E - Ic(Rc + Re) nếu cho UcE = 0 thì E 10 = 0,0333A = 33,3mA Rị. + Rg 300 ta được điểm B trên trục tung, nối B với ovà kéo dài sẽ được đường tải một chiều (hình 2-17). Hình 2-17 070) Bài tập 2-14. Biết đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của một J-FET kênh N như hình 2-18. a) Xác định trên đồ thị dòng bãơ hoà Ij5ss^ và điện áp khoá Uqsk- b) Tính dòng Iq ứng với các giá trị Uos = OV; Uos = -2V; Uos = -4V và U g s = -6V. Bài giải Từ đặc tuyến truyền đạt Id = f ( Ư G s ) hình 2-18a, dòng bão hoà Ipss ứng với U q s = ov,Ij5ss = 15mA. Điện áp khoá U gsk ứng với Iq = 0, trên đồ thị xác định được Uqsk = -8V. b) Dòng Ij3phụ thuộc vào điện áp ƯQSvà được xác định bởi biểu thức; 58
57. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N Id = Idss(1 - ^{) ' UGSK Ugs = 0} Id = Idss = 15mA Uos = -2V-^{= 15 (1 - = 8,437mA. -“0 U gs = -4V} lo = 15 = 3,75mA. —o Ucs = -6V ^{Id = 15(1-— )' = 0,9375mA. ( 7 1} Bài tập 2-15. Cho mạch điện dùng J-FET kênh N như hình 2-19. Đặc tuyến của J-FET nhưbài 2-14. Biết E = 15V; điểm làm việc tĩnh được chọn ứng với Rd = IkQ. a) Xác định trị số Rị. b) Xác định thiên áp Uqsq. c) Điện áp trên cực máng Up. Bài giải a) Điện trở Rs được xác định theo biểu thức: U R - - U q d k - 8V ^{21™ 2.15.10-} = 266Q +E H h -p -H iỊ Hình 2-19 ra 59
58. = RJn = 266.7,5.10'" « 2VGSO S-^{D (ởđây I t ,= % =} = 7,5mA) • 2 2 c) Điện áp Uq U d = E - I d.Rd = 15 -7 ,5 .1 0 ^{1 0} = 7,5V Bài tập 2-16. Cho mạch tạo thiên áp cho J-FET kênh N bằng phương pháp phân áp như hình 2-20. Biết: E = 15V; R, = 600kQ; R, = 150kQ; Rß = l,5kQ; Rs = IkQ; 5mA. a) Xác định Uas- b) Dòng cực máng Ip. c) Điện áp trên cực máng Up. Bài giải a) GS R| +Rj (600 + 150)10 E Hình 2-20. Mạch tạo thiên áp cho J-FET 5.10"10' = -2 V ,R,= 15 150 = 3VĐiện áp trên cực cửa U f - •_ R ,+R , " 600 + 150 Điện áp trên cực nguồn Us = ƯQ- U qs = 3 - (-2) = 5V. hay Us = Is.Rs = Id-Rs = 5.I0 M 0’ = 5V b) Xác định lại dòng cực máng Ip I. =L=⁼ =5.10-'A=5mA ^{Rs 10' c) Điện áp trên cực máng Up Ud = E-Id.Rd= 15-5.10M,5.10} = 7,5V Điện áp U ds = Uo - U s = 7,5 - 5 = 2,5V. ( t ỉ ) Bài tập 2-17. Cho mạch điện dùng MOSFET kênh đặt sẵn như hình 2-21 a và đặc tuyến truyền đạt như hình 2-21b. Biết: E = 12V; Ro = 200kQ; u 3 , 5 V . a) Hãy xác định trị số điện trở R| để tạo thiên áp yêu cầu U qsq= -2V. b) Xác định dòng 1,30• 60
59. 2-21. Mạch điện (a) và đặc tuyến truyền đạt (b) Bài giải = - U30 = -2 + 3,5 = 1,5V Vì dòng lo = 0 nên có thể viết Suy ra R .= R. = R, +Rq •R. U RG G 12 200 Thay số: R, — 200 = 1400k0 = 1,4MQ ' 1,5 b) Dòng 1^0 = 5mA ứng với ƯQ5Q= -2V (xác định trên đồ thị 2-2 Ib). ( 7^ Bài tập 2-18. Như bài 2-17. Nếu chọn điểm làm việc ứng với U qsq = -2 V , dòng IpQ= 5mA; điện trở Rjj = l,2kQ. a) Hãy xác định điện áp Uq. b) Tính điện trở Rs. c) Khi điện áp vào thay đổi trong khoảng -2V ± 0,5V, hãy xác định biên độ điện áp ra và hệ số khuếch đại Kụ. Bài giải a) Điện áp Ud = E- IdqRo = 12 - 5.10M,2.10^ = 6V. b) Điện trở Rg. 61
60. 0 0 0 c) Khi điện áp vào Uqs thay đổi trong phạm vi -2V ± 0,5V, xác định trên đồ thị 2-2Ib dòng Id thay đổi từ 2,5mA đến 6,25mA, như vậy biến thiên dòng Id từ đỉnh - đỉnh AIó = 6,25 - 2,5 = 3,75mA Điện áp ra (đỉnh - đỉnh) sẽ biến thiên u„ = AId-Rd= 3,75.10-M,2.10^ = 4,5V Hệ số khuếch đại điện áp 1 tập 2-19. MộtMC^PETkốihđặtsẵncóđạctuyái ttuyàiđạtnhưHình2-22. a) Căn cứ vào đặc tuyến xác định hỗ đẫn tại vùng nghèo ƯGS = -2V và tại vùng giàu ƯQS= +3V. b) Cho nhận xét. iD(mA)' 15 vùng giàu/ ị M 10 7,5 5 vùng nghèo i l í ỉ ' -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 Uqs(V) Hình 2-22 Bài giải a) Tại vùng nghèo, theo đổ thị U g s = -2V ->Id= l,2mA Ugs = -IV Id = 2,5mA AUos=lV AIp = 2,5mA - l,2mA = l,3mA 62
61. = -" -° - = l,3^^^hay l,3mS (milisimen) AUqs V Tại vùng giàu Uos = +3V -> Id = lOmA Ugs = +4V Id= 15mA Alß 15-10 _mA, _ „ Hỗ dẫn g„ = — = ——— = 5—— hay5mS AUGS 4 -3 b) Nhận xét: ở vùng giàu hỗ dẫn của MOSFET lớn hơn vùng nghèo. Bài tập 2-20. Cho mạch điện dùng J FET kênh N như hình 2-23. Biết Ro = 1,5MQ; Rs = 300Q; Rß = 2,2kQ; R, = 15kQ; E = 15V. a) Xác địnhđiệnttởtảixoaychiầi R_. b) Hỗ dẫn động tại Uqs = -2V. c) Tính hệ số khuếch đại Ky. d) Tính điện áp ra n.ếu Uv = 0,5V. Bàỉ giải a) Điện trở tải xoay chiều R_ b) Hỗ dẫn tại gốc: ê m o GSK HỖ dẫn tại điểm Ucs = -2V. U ê m ê mo 1 GS UGSK . = 5mS 1 -2 -6 = 3,33 lĩìA c) Tính hệ số khuếch đại K„ = g„R_ = 3,33.10-'. 1,92.10' = 6,393. 63
62. điện áp ra Uos = OV; U gs = +2,0V; Uos = -2,0V. Bài giải - Khi Uq5= 0 —>Ij) = Idss “ 15mA. -Khi Ucs = +2V ^I = I^s3 1 u - Khi Uqs = -2V -> In = 15.10 GSK -3 = 15.10-3 -6 = 26,66mA -6 = 6,6mA. Bài tập 2-22. Một MOSFET kênh N cảm ứng có đặc tuyến truyền đạt và mạch điện như hình 2-24. a) Hãy xác định bằng phương pháp đồ thị hỗ dẫn g„ tại điểm làm việc 0(8V, 7,5mA). b) Tính trị số Rq. c) Tính điện áp ra nếu điện áp vào biến thiên IV. .+15V a) Hinh 2-24 b) 64
63. định hỗ dẫn g„. gm = . ?:.^{,2 ,5 i} h a y 2 ,5 m s AUGS 8V -7V b) Điện trở Ro = - — £ p i . = J 5 _ 8 _ ^{chọn Rß =.lkQ I, -3 DO 7,5.10 (ởđâyUos = UGs = 8VvìIc = 0). c) Xác định U,, nếu Uv = 1V. u„ = Ki}.Uv = g„.Ro.Uv = 2,5.ỉơ^{. Ì0M,0 = 2,5V ( t} Bài tập 2-23. Cho mạch điện dùng J-FET kênh N như hình 2-25. Biết; E = 12V; Rg = IMQ; ưc5q = 1,2V . Điện áp trên Rs, Urs = 0,2E = 2,4V. HỖ dẫn g„ = 5 . Điện trở cực máng nguồn r¿^{= 200kQ. = 0,Ir,}= 0,1,200kQ = 20kn. a) Tính điện trở Rị. b) Tính hệ số khuếch đại Ky. Bài giải a) Tính R, R. Suy ra R. = E.R, ^{RS R| +Rq E = 10' 12 1 vUks-U oso = 9MQ. -1 b) Hệ số khuếch đại Ku. Ku = êm- Rd= 5.10 ^20.10} = 100. 5- 250BTKTĐÍỆNTỬ-A 65
65. KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU BÉ 3.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT Để phân tích và tính toán các thông số kỹ thuật đối với bộ khuếch đại điện tử dùng transistor làm việc ở chế độ tín hiệu bé thưòng dựa vào các loại sơ đồ tưcmg đương. Transistor thường được biểu diễn bằng hai loại sơ đồ tương đương: - Loại thứ nhất gọi là sơ đồ tương đưcmg vật lý hay sơ đồ tưofng đưcfng hình T và cũng có tên gọi là sơ đồ tương đương (The ĩg transistor model). - Loại thứ hai được gọi là sơ đồ tương đưong tham sô' bao gồm các tham số trở kháng, điện dẫn hoặc hỗn hợp. Cả hai loại sơ đồ tương đương của transistor có thể coi là không phụ thuộc vào tần số đến một phạm vi khá cao: - Đối với các loại transistor lưỡng cực (BJT) khi tần số tín hiệu f,< (0 ,l-f 0,5)f,. - Đối với các loại transistor hiệu ứng trường (FET) khi tần số tín hiệu f,< (10^ 150)MHz. ở phạm vi tần số cao hơn những số liệu trên, khi sử dụng các loại sơ đổ tương đưofng phải được lựa chọn một cách thích hợp và không được bỏ qua ảnh hưởng của các tụ ký sinh (Cj(;s) bản thân transistor đến sự truyền đạt tín hiệu qua nó. Với mỗi kiểu mắc đối với transistor có ba họ đặc tuyến Volt-Ampe quan trọng: họ đặc tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến truyền đạt. Có thể xây dựng đường tải một chiều (R.) và đường tải xoay chiều (R_) trên các họ đặc tuyến cơ bản của transistor và xác định các tham số một chiều cũng như xoay chiều của tầng khuếch đại điện tử. 6 6 5-250BTKTĐIẸNTỬ.B
66. kỹ thuật cơ bản đối với tầng khuếch đại điện tử dùng transistor bao gồm; trở kháng vào (Ry), trỏ kháng ra (R^a), các hệ số khuếch đại điện áp ( K u ) dòng điện (K ị) , công suất (K p ). Hệ số khuếch đại nhiều tầng ghép liên tiếp bằng tích các hệ số thành phần. 3.2. BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI ( 8^ Bài tập 3-1. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-1. a) Xác định r^. b) Xác định trở kháng vào của tầng Ry. c) Xác định trở kháng ra của tầng (với fo = oo) d) Xác định hệ số khuếch đại điện áp Ku (với ĨQ= oo) e) Xác định hệ số khuếch đại dòng điện K ¡ (với ĨQ= ũo) E .J2VCO II— u Cj 10|iF p=100 r„=50kQ Hình 3-1 Bài giải Chọn transistor T loại Si và thiên áp Uggo =0,7V a) Dòng tĩnh IgQ sẽ là: 12V-0,7V , Ibo = — = 24,04^iA Rg 470kQ Dòng tĩnh IgQ sẽ là: 1,0 =(1 + P)l30 =(l + 100)24,04.10-'A = 2,428mA Điện trở r, được xác định: 67
67. kháng vào được tính: Ry —Rb // TvT trong đó Tvt - trở kháng vào của transistor fy^= pr,= 100.10,71 = l,071kQ Ry = 470//1,071 = l,069kQ. c) Trở kháng ra của tầng được tính: R„ = Rc // ĨQ= Rc // °0 = Rc = 3kQ. d) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng: r, 10,71 e) Vì Rg > lOrvT= lOp.r, (470k0 > 10,71k0) nên Kị« p =100 Bài tập 3-2. Tính toán lặp lại cho bài tập trên*hình 3-1 với ĨQ= 50kQ. Bài giải Ta nhận thấy các thông số trong hai câu a, b sẽ không có gì thay đổi nên; a) r,= 10,710 b) Rv= l,071ka c) Trở kháng ra của tầng được tính: = Re// ro= 3 // 50 = 2,83kũ. d) Hệ số khuếch đại điện áp của tẩng. -264,24 r. 10,71 e) Hệ số khuếch đại dòng điện Kj Y- _ P-Re-rp : 100.470.50 ^{3 ‘ (ro+R^XRg + r^}) (50+ 3)(470 + 1,071) ’ Có thể tính K: theo biểu thức khác: 68
68. - K > = 2 H É Í 3 1 )W 9 =94,16 3 Bài tập 3-3. Cho tầng khuếch đại dùng transistor lưỡng cực (BJT) như trên hình 3-2. Hãy xác định: R n , lO^iF ^{3 6,8kQ +E^22V 56kn ^1 ĩT R R, u c'lOjiF X - p=90 R >8,2kfì n < ra r C3 20|XF l,5kQ 1 Hình 3-2 a)r, b) Rv c) R,, (với fo= 00) d) Ku (với To= co) e) Ki (với To= 00) Bài giải Chọn transistor T loại Si vói thiên áp Uggo = 0,7V a) Ta có: U = -M e e ..} 2.22 ^{2,81V ® R ,+R 2 56+8,2 Ue= Ub- U3eo= 2.81-0,7 = 2,11V Ig = -} = _ _ = l,41mA . Kết quả là; l,5kQ r, = — = 18,44Q Ĩe 1.41 69
69. Rp = R, // Rj = 56kQ // 8,2kQ = 7,15kQ Và Rv = Rp// ĨVT= Rp// p.r, = 7,15kQ // 90.18,44n Rv = 7,15kQ// l,66kQ = l,35kQ. c) R„ = Rc // fo = Rc // co = Rc = 6,8kO. d)K = - - ^{= -} = -368,76 r. 18,44 e ) K ⁼ = ^{= 4 | L Ị L = 73,04. R, + r„ R,+p.r. 7,15+1,66 Bài tập 3-4. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-2. với To= 50kQ. Bài giải Với hai câu a, b sẽ hoàn toàn tương tự trong bài 3-3 nghĩa là: a)r,= 18,44Q b) Rv= ỉ,35kQ. c) R„ = Rc // ro= R, // ro= 6,8kQ // 50kQ = 5,98 kQ. d)K = -} = - ^{= -324,3 r, 18,44 _________P '} p '^{0_______ __ P-Rp-Fp_______ (ĩq+R(,)(Rp H-ry}-) (ĩq+R3 XRP+Pr^) 90.7,15.50 (50+6,8X7,15 + 1,66) Bài tập 3-5. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-3 Hãy xác định: a)re b)R v C)R„ d) e) K ị với mạch không có tụ Q . 70
70. 10^F CIOịìP K M 20 r =40ka 0,56kQ lỐụF Hình 3-3 Bài giải Chọn transistor T loại s¡ với Uggo = 0,7V a) Điện trở được tính như sau; J ^{20-0,7 = — f - = 35,89|aA R„+(1 + Ị3)R. 470.10’ + 121.0,56.10' I eo =(P + l)lB0=121.35,89^A = 4,34mA. í và r = _ Uj _ 26 EO 4,34 = 5,990. b) Rv = RJ / rvTmà ĨVT= P(re + Re) = 120(5,99 + 560) = 67,92kQ. Rv = 470kQ//67,92kQ. c)R„ = R c //ro - Rc = 2,2kQ. r,„ 67,92‘VT R e) Kị= -K} ,^{= -(-3,89)}?4^ = 104,92. R 2,2 (⁸ Bài tập 3-6. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-3 khi có tụ Q Bài giải Với câu a việc tính toán hoàn toàn tuofng tự trong bài 3-5, nghĩa là: a) r, = 5,99Q 71
71. ứở Re sẽ bị ngắn mạch đối với thành phần xoay chiều của tín hiệu qua tụ Q nên: Ry = Rg // mà = p.ĩg nên: Rv = Rb // p.ĩe = 470kQ // 120.599Q = 4 7 0 k Q / / 718,8Q = 717J0Q . c) R„ = Rc = 2,2kQ. d) K„ = = - ^{4 4} = -367,28 e)K,= PRB _ Vr 5,99 120.470.10^ 470.10^+718,8 = 119,82. Bài tập 3-7. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-4 (tầng lặp emitơ). Hãy xác định: a)r, b) Rv c) R . d)K , e) Ki Bài giải Chọn transistor T loại Si với UggQ= 0,7V a) Điện tì-ở được tính: 72
72. A 2 ^{“ RB + ( l + ß)Rg 220kQ + 101.3,3kO = (1 + ß)ig} = 101.20,42^A = 2,062mA nên: r = = - — -■= 12,610 ' Ieo 2,062 b ) R v = R b / / rvT = R b / / ß-re + (1 + P ) R e = 220kQ // 100.12,610 + 101.3,3kü = 2 2 0 k n // 334,56kQ = 132,72kfì. c) R,, = Re// r, = 3,3kQ // 12,61Q = 12,56Q = r,. = = 0,996 Uv r^+Rß 3,3.10^ + 12,61 e,K ,= - ^{= - - J 5} = - 3 9 , 6 7 . R^+Tyj 220 + 334,56 hoặc có thể xác định theo biểu thức khác: Ki = -K„ ^{= -0,996 = -40,06 ' ’ 3,3kQ ( 8} Bài tập 3-8. Tính toán lặp lại như bài 3-7 với ĨQ= 25kQ, xem hình 3-4. Bài giải a) Việc tính toán đối với T(. giống như trong bài 3-7 nên: = 12,61Q. b) Vì To« coQ hay To< lORß nên Tvt được tính như sau: r„ = ß.r. + ^{I00.12.6in+ »295,7kfì l+ ñ e i + 3,3k£ỉ ĨQ 25kQ và R v = R b / / Tvt = 2 2 0 k 0 / / 295,7kQ = 12 6 ,15kfì. c)R„ = RE//re=12,56Q. (1 + ß )} (100+ 1) d) ^{= - 1 M I = 0,996. 1 + —} l + n i ro 25 73
73. K = -0,996 Bài tập 3-9. Cho tầng khuếch đại dùng transistor mắc BC như trên hình 3-5. Hãy xác định: a)r, b)Rv C)R„ d) K, e) Ki 126,15kQ 3,3kQ = -38,07. 10^F 11 ' ^{MkQ "Eee V l J K Ỉ c, t—1}— • t,- lO^iF ^{5 kQ ư fEcc a = 0,98;ro= IMQ Hình 3-5 Bài giải Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V nên r ,= Ì ỉi =} = 20Q. IkQ EO b) Trở kháng vào khi mắc BC sẽ là: Rv = Re/ / Te= IkQ/ / 20Q = 19,61Q. c) R,, = Re// ro= Rc // IMQ = Rg = 5kQ. K - _ 5.10^d) K, = 250 20 e) Ki= ii- = - ^{= -} = - a = -0,98 = - l L, L, L 0 Bài tập 3-10. Qio tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-6. Hãy xác định: a)r. 74
74. K , e) K¡ Bài giải Chọn transistor loại Si v ớ ì U 3,o = 0 , 7 V . a) Từ: + E „ 9 V I, R ,1 8 0 k Q c, lO^iF R., 2,7kQ QIO^F U R p=200 r„=ooQ ra Hình 3-6 9V -0,7V ^BO~ — — = --- = 1l,53|.iA Rg+ịỉRc 180kQ + 200.2,7kQ Lo = (1+ P)Ibo = (1+ 200)11,53|aA = 2,32mA và EO b) 2,32 p Rb 11,21 1 , 2,7 = 560,5Q 2 0 0 1 8 0 c) R,, = Rc // ro// Rb với ĩo > lORc thì R„ = Rc // Rbvà với Rg » Rc ta có; K = Rc- ở đây ta tính được; R „ = R c // R b = 2 , 7 k Q // 1 8 0 k Q = 2 , 6 6 k Q . d) Ky = = -240,86 e) K.= PR, 11,21 200.180 = 50. 0 Rg+pRc 180 + 200.2,7 90 ) Bài tập 3-11. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-7. Hãy xác định: a) Rv b) R„ 75
75. Trở kháng vào của tầng được xác định theo biểu thức:♦ • Rv = R B / / h „ e = 330kQ// l,175kQ= l,171kQ. b) Trở kháng ra của tầng được xác định theo biểu thức: • +E ura h,,= 120 h,^{=l,!75krì h22e=20jiAA} Hình 3-7 R .= 1 '22e 7/R^ = r„//R^= 50kQ // 2,7kQ = 2,56kQ =: R, ở đây: '22e 20 V = 50kQ c) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng sẽ là: K „, . J ! L Z ^{, -262,34 ‘lie 1,171 d) Hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là; K ,=Ị*-=I>j,.=12 0 . Bài tập 3-12. Cho tầng khuếch đại dùng transistor trường như trên hình 3-8. Hãy xác định: a)gm b)r, c) Ry 20V 2kn 5R, D G Rv c, ư. Ì 2 V U. Up=-8V ưgso=-2V Ij}=5,625mA gd=40fiS Hình 3-8 76
76. , Bài giải a) Từ phương trình Shockley đối với transistor trường loại J-FET ta có: Sm„ 2ĩ_ U 2.10mA 8V ê m B m „ UGS„ _ = 2,5mS -2 b) ''d= — = U ) = 2,5mS(l— ^{) = l,88mS -8 _Ị} ểd 1 = 25kQ 40.10"* c) Ry = R(3/ / T yj = Rq / / co — R-G— I M O d) R„ = Ro // Td= 2kQ // 25kQ = 1,85kO e) Ku = -gl(Ro // r j = -l,88mS.l,85kO = -3,48. (⁹² Bài tập 3-13. Cho tầng khuếch đại lặp dùng J-FET như trên hình 3-9 và biết thêm: ư o so = -2,86V; Up = -4V; =4,56mA; Idss = 16mA; = 25|^{s. Hãy xác định: a)gm b)r, c) Rv d) R™ 0,05^F n ....-..- i 'Edd^V • if} Uv , aOSMF K ^{Iivm > R,<> ^{2 2,2kQ 3 ra Hình 3-9 Bài giải 21 a) g = ' Om« -ỊJ 2.16mA 4V = 8mS ểtn êmo}} = 8mS(l — = 2,28raS U -4 77
77. = 1 = 40kQ gd 25^iS c) R v = R o // Tvt = Rg // 00 = R g = I M Q d) R„ = r, // R, // — = 40kQ // 2,2kQ // 1 gm 2,28mS = 362,520 @ Bài tập 3-14. Cho tầng khuếch đại dùng D-MOSPET (MOSPET loại nghèo) như ừên hình 3-10 và cho biết thêm: Uoso=0,35V; Iqo = 7,6mA; Idss = 6mA; ủp = -3V; g, = ỈOịiS. Hãy xác định; a)gm b)r, c) Vẽ sơ đồ tưcfng đương của tầng d ) R v e) R . f)Ku. Hình 3-10 Bài giải a ) g „ „ = ^{= -} ^{= 4mS 3V u, g . = g . o a -} ) = 4(l ư 0,35 -3 ) = 4,046mS b)fd= — = . - ^ = 100kO. gd c) Sơ đồ tưofng đương của tầng được vẽ như trên hình 3-11 dưới đây. d) Rv = R, // R, // rvT= R, // R2// = Rj // R, = lOMQ // 1lOMQ = 9,17MQ. 78
78. r, // Rd = (100 // l,8)kQ = 1,77kQ f) Ku = -g„.RD = -4,046mS.l,8 = -7,28. G D Uv 1 llO M fi RẬ lOMQ »-- m ^{c D Sm^GS lOOkQ D} l,8kn " s Hinh 3-11 ( 9^ Bài tập 3-15. Qio mạch khu&h đại dùng transistor E-MOSFET như trên hình 3-12. R +Edd12V 2kQ R.^{IOMO U, c, R, 1^F Rra Hình 3-12 Hãy xác định: a) gm b)r, c) Ry d) R., e) Ku- Bài giải i; =6mA u;=8V Ut=3V gd= 20ịiS (0,24.10-'AA}') k = 0,24.10'’AA^- Ucso = 6,4V Itx) = 2,75mA a) g,„ = 2k(U.so-UT) = 2.0,24.10"^(6,4-3) = l,63mS. b) r,. = — = 1 gd 20|aS = 50kQ 79
79. _ 10Mfì + 50kQ//2kQ ~ 1+ L (Í.//R d) ~ l + l,63mS(50kQ//2kQ) Nếu không tính đến ảnh hưởng của thì: = 2,42MQ ;g______ 10 = 2,53MQ l + g„R^ 1+ 1,63.2 d) R,, = Rc // r, HRd = lOMQ // 50kQ // 2kQ = 1,92kQ. Khi r^i > lORp thì trở kháng ra có thể được tính: R„ = R o//R o = RD = 2kQ e) Ku = -g^.Ro = -1,63mS.2 = -3,26. Khi bỏ qua ảnh hưởng của với r<j> lORp. Khi tính đến r¿thì: Ku = -g„,(Rc // ra// Rd) = -1,6ms( 1OMQ // 50kQ // 2kQ) = -3,21. ( 9^ Bài tập 3-16. Qìo tầng khuếch đại dùng J-FETnhư UoD 30V trên hình 3-13. Hãy xác định điện trở tải một chiều Rp của tầng vód hệ số khuếch đại điện áp Ku = 10. Bài giải Với Rs = Oíì trên sơ đồ hình 3-13 của đầu bài ta có u Q5 = ov và điều đó có nghĩa là: R II T Rg > lOMn Ip55= 1OlĩlA Up = -4V g, = 20tiS Hình 3-13 Ku = -gn,Rn. = -gm„ Rra = -gmCRo// r<i) = -gm„ (Rd // Td) Từ đó ta tính được:» 2I0SS _ 2.10mA -gm„ = = 5mS Up và ta có; Ky = -10 = -SmSíRp // r^) 10 4V nên; Rp // = 5mS = 2kQ 80
80. có: 1 1 rd= — = g. 20.10-^{Khi đó: Rd // r, = Rd // 50kQ = 2kQ = 50kfì RoSOkQ R}+SOkQ RoSOkQ = 2(Rd + 50)kQ Vậy Rj) = 2,08kQ và chọn điện trở Rß theo tiêu chuẩn sẽ là Rjj = 2kQ. (% ) Bài tập 3-17. Cho mạch khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14. Hãy xác định điện trở Rj) và Rs với Ku = 8 và Uqs_ = —Up = -I V . Biết thêm: Idss = lOmA; Up = -4V; gj = 20|J,S. ^{DSS*” ỉômA U p = - 4 V Ga= 20^lS Hình 3-14 Bài giải T- ' _ 2Idss _ 2.10mATa có; - = 5mS U, và g„ = g „ „ ( l-} ^{) = 5 m s (l-} ) = 3,75mS mặt khác: Ku = -g„(RD // r<j) -8 = -3,75mS(Ro// r,) 6- 250BTKTĐÍỆNTỬ. A 81
81. // — = Ri, / / - ^{= Rd //50kQ = 2,13kQ gd 20|aS Từ đó ta xác định được Ro = 2,2kQ (đúng theo tiêu chuẩn). Để xác định điện trở Rs có thể xuất phát từ biểu thức; '^GSO“ ~^DO^S ^DO—^Dss(} uGSO 2 _ Up ý =lOmA -4 = 5,625mA Vậy Rs = ^{= 177,80 IDO 5,625.10 Chọn theo bảng điện trở tiêu chuẩn Rs = 180Q. {^9} Bài tập 3-18. Qio tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14 (xem số liệu bài tập 3-17). Hãy xác định giá trị R|5, Rs khi không có tụ Q. Bài giải Khi không có tụ Cs trên mạch, các đại lượng tính toán cho chế độ một chiều của tầng không có gì thay đổi nghĩa là: ƯQSO= -I V ; Ij3ò = 5,625iĩiA; Rs = 180fì! (như trong bài 3-17). Biểu thức tính hệ số khuếch đại điện áp Kjj sẽ là: — §m^D " l + Sn,Rs 8 = - 3,75mS.Rj3 l + 3,75.10"^{180 _ 3,75mS.Rp 1+0,675 từ đó tính được Rqsẽ là: 13 4 R} = - — —- = 3,573kQ ° 3,75mS Chọn điện trở Rp theo tiêu chuẩn là Rp = 3,6kQ. 82 6- 250BTKTĐIỆNTL
82. 3-19. Cho bộ khuếch đại điện tửnhư trên hình 3-15. Hãy xác định K^; Ry; Rn.; u^; u ’ với U gso=-1,9V ; Ioo=2,8mA và R, = lOkQ. Ipss= lOmA; Up = -4V; Tị và T2 cùng loại và có cùng các tham số. ra Hình 3-15 Bài giải êm o _ _ 2.10mA ê m S m o U u 4V = 5mS Up ) = 5mS 1 -1>9 4 J = 2,6mS Ku. =Ku, = = -ê„Ri =-g„Rs =-2,6mS.2,4kQ= Hệ số khuếch đại Ku sẽ là: K ,=K ,,.K ^,=(-6,2)(-6,2) = 38,4 Điện áp ra sẽ là: u„ = Ky.Uv = 38,4. lOmV = 384mV Trở kháng vào của bộ khuếch đại là: Ry = Rg = R2 3,3MQ Trở kháng ra của bộ khuếch đại là; - 6,2 83
83. R5 = = 2,4kD. Khi mắc tải R, = lOkQ, điện áp ra trên tải sẽ là: u, =— —u =—i^384mV =310mV ‘ R„+R, ” 2,4+10 ( 9^ Bài tập 3-20. Cho bộ khuếch đại điện tử dùng BJT như trên hình 3-16 với Ub = 4,7V; Ue = 4V; Uc = i1V; Ie = 4mA. Hãy xác định: K^; u„; Rv; rI và u,khimắc tảiR, =1OkO. R 10)iF h - Uv c, 15kQ 25^iV R < 4 J Ị^{:R,2,2ka *^5 q 10nF P=20Ó R7 > 2,2kO • +E,,20V 4,7kn 1 C ,1 0 |iF p=200 ^6 20mF Hình 3-16 Bài giải Trước tiên ta xác định điện trở Tg 26mV 26=} = 6,5Q Hệ số khuếch đại đỉện áp tầng 1: r. _ R_Rc(//R4//R5//P-r.) *^u, ~ “ Te Te 2,2kQ//(15kQ//4,7kQ//200.6,5Q ở đây 6,5Q R,, =R 3//(R ,//R ,//p.rJ =-102,3 84
84. đại sẽ là: . = _ ^{= _} = _ ^{= _ 2 :} ._ 3 3 8 ,4 6 6,5 Ku = Ku, = (-102,3){-338,46) = 34624 u„ = Kij.Uv = 34624.25^iV = 0,866V Trở kháng vào của bộ khuếch đại là: Rv = R, // R, // pr, = 4,7kQ // 15kQ // 200.6,50 = 953.6Q Trở kháng ra: —Rc ” ^{6 ~ 2,2kQ. Khi mắc R, = lOkQ điện áp ra trên tải sẽ là: u = —} — U = — 1 ^ 0 .8 6 6 V = 0.71V > 2 ,4 k n ^3 0,05^F 4,7kQ 4 = . 1 '5 100fxF Hình 3-17 Bài giải Hệ số khuếch đại của tầng thứ nhất: 85
85. = -2,6mS(2,4kQ//953,6D) = -1,77 Hệ số khuếch đại K„ sẽ là: K^^{=K„K„ =(-l,77)(-338,46) = 599,1 Điện áp ra u„ = K}.Uv = 599,l.lm V = 0,6V Trở kháng vào Rv = Rq = 3,3MQ Trở kháng ra R,, = Rc = 2,2kQ = R5. (10^ Bài tập 3-22. Cho tầng khuếch đại cascode như trên hình 3-18. Hãy xác định Ku của tầng với = 4,9V ; U3 = 10,8V ; !(, = Ic = 3,8mA = 1^ = Ig; P| = p2 = 200; Tị = T2= T (giống nhau). p, = p, = 200 T, = T, = T (giống nhau) Hình 3-18 Bài giải 26mV 26 3,8 = 6,8Q 86
86. = -265.'Ü (1 ^{Bài tập 3-23. Cho tầng khuếch đại dùng transistor Darlington như ưên hình 3-19. Hãy xác định hệ số khuếch đại dòng điện K|. Bài giải Ta có thể vẽ lại sơ đồ tương đương mạch điện như trên hình 3-20 dưói đây: _ Pd^b 8000.3,3.10® 3,3.10}+8000.390 = 4112 Hình 3-20 (1 ^ Bài tập 3-24. Oio tầng khuếch đại dùng transistor Darlington như trên hình 3-21. Hãy xác định Rv; R„; K|; Ku với = 3kQ. 87
87. Rg // (r^ + p,p2.Rc) = 2MQ // (3kQ + 140.180.75Q) = 974kQ. K;=p.p2 R 9 1a6 = 140.180(-— t) = 3,7.10^ Rg +Rv 2.10"+974.10^ R =-!h_ = i i ^{= 0,12Q ™ p,p2 140.180 và K„ = - J M} = _ 1 Ị ^{1 *} = 0,9984, p,p2Rc+r„ 140.180.75+3000 ( í ^ Bài tập 3-25. Cho mạch điện dùng J-FET như trên hình 3-22 (mạch tạo nguồn dòng). Hãy xác định dòng Idvà u„ khi: a)RD=l,2kQ. b) Rd= 3,3kQ. Vód Idss = 4mA và Up = -3,5V. Bài giải Từmạch điện đãcho khi Uqs =ov. Ij3= I0SS— 4mA. a) ư„ = Edd - IdRd = 18V - 4mA.l,2kQ = 13,2V. Edd18V R, u_ Hỉnh 3-22 88
88. = Edo - IdR d = 18- 4.3,3 = 4,8V. Bài tập 3-26. Cho mạch điện dùng BJT như trên hình 3-23 (mạch tạo nguồn dòng). Hãy xác địnhdòngđiệnI. Bài giải Chọn transistor loại Si với Ugg= 0,7V. R, Ta có: ưg = R, 4-R2 5,1 (5,1 + 5,1) (_20) = -10V S.lkQ- +E^ -20VcC Hình 3-23 Ue= U 3 -U bh= -10-0,7 = -10,7V I = I , = l ^{= d Ọ ìZ z m = 4,65mA.} R. 2 (1^ Bài tập 3-27. Cho nguồn dòng dùng transistor và zener như trên hình 3-24. Hãy xác định dòng điện I với u , = 6,2V. 2.2kn' Bài giải Chọn transistor loại Si với l,8kQ +E„. -18V Ube= 0,7V. Ta có: Hinh 3-24 R 1,8 (1^ Bài tập 3-28. Cho mạch điện đùng transistor như trên hình 3-25 (mạch gưomg dòng). Hãy xác định dòng điện I. 89
89. T| và T2cùng loại Si. E - ư Tacó: 1= 1 (12-0,7) 1,1 R = 10,27mA. 108) Bài tập 3-29. Cho tầng khuếch đại vi sai dùng BJT như trên hình 3-26. Hãy xác định điện áp ra u„. Với= 20kQ; Pi = P2= ^{5. Bài giải Chọn transistor T| và T, loại Si với Ube= 0,7V. Ta có: E. -U h = BE R 9 -0 ,7 j = 193^iA = 96,5nA. 43.10 Dòng colectỏ; lẹ 193|aA} 2 2 Từ đó ta có Uc được tính: Uc = Ecc - lẹRc = 9 - 96,5.10■^{47.10' = 4,5V. Điện trở được tính; 1-3 Hình 3-26 96,5.10 Hệ số khuếch đại điện áp Ku sẽ là; K „ =} = í ^{= 87,4 2r} 2.269 90
90. = 2.10187,4 = 1,I75V. (1^ Bài tập 3-30. Hãy xác định hệ số khuếch đại tín hiệu đồng pha của tầng khuếch đại vi sai dùng transistor trên hình 3-26. Bài giải Từ biểu thức cơ bản tính toán cho hộ số khuếch đạitín hiệu đồng pha đối với tầng vi sai ta xác định được Kc như dưới đây: K PRc , 75.47 ^{Uv r}+2(p + l)Rg 20 + (l + 75)2.43 ’ (1^ Bài tập 3-31. Hãy xác định Kc của tầng vi sai cho ừên hình3-27 dưới đây: Vậy u„ sẽ là: T, &Tọ p, = p2= 75 ^{VTl “ “ ^VT IcCầ Ta p3 = 75 r„3= Re = 200kíì Bài giải Transistor Tj kết hợp với các linh kiện mắc trên mạch tạo thành một nguồn dòng nhằm nâng cao trở kháng một chiều. Rg và vì thế khi thay các giá trị vào biểu thức tính Kc ta được: K, = ---= 24,7.10-'} ry^+2(l + p)RE 11+ 2.76.200 91
91. TẬP« 0 Bài tập 3-32. Cho tầng khuếch đại dùng BJT mắc EC như trên hình 3 28. Hãy xác định Rv; R„; Ku’, Kj a) với ĨQ= 40kQ b) với Tq= 20kQ. :60 Hinh 3-28 (1 ^{Bài tập 3-33. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-29. Hãy xác định E c c sao cho Ku = -200. ( í} Bài tập 3-34. Cho tầng khuếch đại đùng transistor như trên hình 3-30. Hãy xác định r^; Ry; R„; K^; K| với: a) Tq= 50kQ b) ro = 25kQ. 92
92. I I - - - *u, q I^ F ra P=100 Hinh 3-30 (1 ^{Bài tập 3-35, Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-31. Hãy ?CâCcỉĩĩỉỉ) Ku; K, +Ecc20V —Hí p=80 r.=40kQ Hình 3-31 Bài tập 3-36. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-32. Hãy xác định R v ; R„; K}; K, và u,, khi Uy = ImV. 93
93. Bài tập 3-37. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-33. Hãy xác định Ib; Ic; r^; Rv’, K^; Kị. (1^ Bài tập 3-38. Cho mạch khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-34. Hãy xác định r^; Rv’, Rraỉ K|. T+6V Ị-IOV a =0,998 R ^{6,8kQ R„} 4,7kn ưv Iv / ^l----*u R ra Hình 3-34 94
94. 3-39. Cho mạch khuếch đại đùng BJT như trên hình 3-35. Hãy ^ xác đmh Ku; K,. +8V ra -5V Hình 3-35 Bài tập 3-40. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên.hình 3-36. Hãy xác định r,; Rv; R,,; K„; K;. t E.. 12V R. 220kíí ư, -II- R,3.9kQ ị l . p=120 R, r„=40kíì Hinh3-36 Bài tập 3-41. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-37. Với r, = loõ; p = 200; =-160; Kị = 19; To= ã)kn. Hãy xác định Rỏ K Ecc. R. u. -lí- — VSAr < u. Hình 3-37 95
95. 3-42. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-38 với h,|^{= 180; hị, = 2,75kQ; h22}= 25|ẲS. Hãy xác định Rv; Ky; K|; ĩg. D i 1^3 i > 68kQ > 2,2kfì ^{+Ecc 18V Hình 3-38 Bài tập 3-43. Qio tầng khu&h đại dùng BJTnhưtì-ênhình 3-39 vói h2| =-0,992; h„ =9,45Q; h,, = 1} ^{.•íh ’ ’ 22,, Y Hãy xác định Rv; R„; K}; K^; a; p; r^; Tq. Bài tập 3-44. Cho tầng y- R H l - 10ÍiF V / R ^{l,2kQ T 4V lO^iP 2,7kQ} 12V R. Hình 3-39 khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-40. Hãy xác định Rv; R„; Kjj với Idss- lOmA; Up = -4V; = 40kQ. Edd18V Rol.SkQ Hình 3-40 96
96. Bài tập 3>45. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-41 Hãy xác định Ry; R„; Ku với = 3000|iS và gd = 50|aS. ( í ^{Bài tập 3-46. Hãy xác định Rv; R„; Ku của tầng khuech đại dùng J- FET như trên hình 3-41 (xem bài 3-45) khi ngắt tụ Cj ra khỏi mạch. ( l} Bài tập 3-47. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-42. Hãy xác định Rv; Rn,; u„ với Uy = 20mV; loss = 12mA; Up= -3V; T¿= lOOkQ. ra Bài tập 3-48. Hãy xác định Rv; R„; u„ của tầng khuếch đại dùng J FET như trên hình 3-42 (xem bài' 3-47) khi ngắt tụ C3 ra khỏi mạch. @ Bài tập 3-49. Tính toán lặp lại cho bài 3-47 khi thay r., = 20kQ. (1^ Bài tập 3-50. Tính toán lặp lại cho bài 3-48 khi thay = 20kQ. 7. 250BTKTĐIỆNTỬ.A 97
97. 3-51. Cho tầng khuếch đại mắc GC dùng J-FET như trên hình 3-43. ^{Hãy xac địnhRv, R„; u}; vói Uv = 0,lmV; Icss= 8mA; Up= -2,8V; = 40ka. ra ® Hinh 3-43 Bài tập 3-52. Cho tầng khuếch đại dùng DMOSPET như ừên hình 3-44. Hãy xác định biết gj = 20pS; Uy = 2mV; I^ss = 8mA; Up = -3V. 41— *u Hh RG>10Mfì Hỉnh 3-44 (132) Bài tập 3-53. Ơ IO tầngkhu&h đại dùng D-MOSFETnhưtrên Kình3-45. Hãy xác địnhRv, R„; Ky. Biết = 6ỒkQ; Icss= 12mA; ưp= -3,5V; Edd= 22V. Eoo 22V ^ o ịi.sk n u. 'ưni Rq! lOMQ' R 100 Ị. Hình 3-45 98 7-250BTKTĐIỆNTỬ-B
98. tập 3-54. Tính toán lặp lại cho bài tập nhưhình 3-45 với = 25kQ. (1 ^{Bài tập 3-55. Cho tầng khuếch đại dùng D-MOSPET như trên hình 3-46. Hãy xác định với Uv = 4mV; gj = 35|0,S; g„ = 6000|J,S. Eoo_________t ‘'DD [ n91NKÌ > 3 <6,8kn c 1 u."— li---'B ’ R2> I 15MQ f Rs > i 3.3kn> T} Hình 3-46 Bài tập 3-56. Tính toán lặp lại như bài tập 3-54 trên hình 3-46 với g, = 50ụS; = 3000^8. ( l ^{Bài tập 3-57. Cho tầng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-47. Hãy xác định Rv; R„; Ku với k = 0,3.10} Ut= 3V; Td= lOOkQ. Epo 16V Rd L Rp 10MÍ2 <2,2kíì r-MAr— í ---ịị U v - u Hình 3-47 ( í ^{Bài tập 3.58. Tính toán lặp lại cho bài 3-57 (xem hình 3-47) với k = 0,2.10'} và so sánh các kết quả. Bài tập 3-59. Hãy xác định với tầng khuếch đại dùng E-MOSFET cho trên hình 3-48. Với Uv = 20mV; Uj = 3,5V; k = 0,3.10 ^ gd= 30^iS. 99
99. 22MD r-AAAr- QkQ ---i H ¿2 ra Hinh 3-48 (íãặ Bài tập 3-60. Hãy xác định u„của tầng khuếch đại dùng E-MOSPET cho trên hình 3-48. Biết: Uv = 4mV; Ut = 4V; 1^^{^} = i; = 4m A; - U , 3 _ = U ; s = 7 V ; g , = 2 0 ^ i s . Bài tập 3-61. Oio tẩng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-49. Hãy xác định u„ với U v = 0,8mV; = 40kQ; ƯT= 3V; k = 0,4.10 Bài tập 3-62. Cho mạch khuếch đại dùng JFET như trên hình 3-50. Hãy xác định Rjj với: Iqss = 8mA; U p = -2,5V; gd = 25fiS; Ku = 8. 100
100. Cho tầng khuếch đại dùng JFET như trên hình 3- 51. Hãy xác định Rß và Rs- Với Ku = lữ, Icœ= 12mA; Up= -3V; = 40kQ. Bài tập 3-64. Cho bộ khuếch đại gổm hai tầng như trên hình 3-52. Hãy xác định điện áp ra u„. Với I dss = 8mA; ưp = -4,5V. ra 101
101. Cho bộ khuếch đại gồm hai tầng như trên hình 3-53. Hãy xác định hệ số khuếch đại K„. VỚI Ißss = 6mA, Up = -3V, ß = 150. ( í ^{Bài tập 3-66. Hãy xác định Rv và R„ của bộ khuếch đại cho ứên hình 3-53. ( l} Bài tập 3-67. Cho tầng khuếch đại Cascode như trên hình 3-54. Hãy xác định hệ số khuếch đại K„ và điện áp ra u„. Với Uy = lOmV, ß, = ß, = ß = 200 102
102. Bài tập 3-68. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-55. Hãy xác định K„. ( í ^{Bài tập 3-69. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-56. Hãy xác định điện áp ra ư„. Với Pi = 160; P2= 200. ra (1} Bài tập 3-70. Cho mạch điện đùng JFET như trên hình 3-57. Hãy xác định dòng điện I với Ioss = 6mA;Up = -3V. R 2kà i Hình 3-57 103
103. Hãy xác định dòng điện I cho mạch điện trên hình 3-58 với p = 100. 4,3kư R, ị- <T ìl,8kQ +E.. -18Vee Hình 3-58 104
104. ĐẠI CÔNG SUẤTm w 4.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT Nhiệm vụ của tầng khuếch đại công suất là đưa ra tằi một công suất đủ lớn theo yêu cầu, có thể từ vài chục mW đến hàng trăm hay hàng ngàn w . Hệ số khuếch đại công suất đóng vai trò quan trọng, còn hệ số khuếch đại điện áp chỉ là thứ yếu. - Tầng công suất có thể làm việc ở các chế độ khác nhau; chế độ A, AB, B hay chế độ c, nhưng để khuếch đại các tín hiệu điều hòa thường sử dụng hơn cả là chế độ A và AB (hay còn gọi là chế độ B|). - Đây là tầng khuếch đại tín hiệu lớn nên buộc phải làm việc ở đoạn cong của đặc tuyến transistor nên sẽ gây méo phi tuyến. - Tầng công suất có thể mắc theo sơ đồ đofn hay sơ đồ đẩy kéo, có thể dùng nguồn cấp điện đơn cực hay nguồn đối xứng có điểm giữa trung hòa. - Hiệu suất của tầng công suất quyết định hiệu suất của máy khuếch đại; việc nâng cao hiệu suất ngoài ý nghĩa tiết kiệm năng lượng còn làm giảm công suất tiêu tán trên vỏ transistor dưới dạng nhiệt. - Các tầng khuếch đại công suất được phân ra: tầng đcfn, tầng đẩy kéo, tầng có biến áp ra, tầng không biến áp ra... * Tầng côìig suất mắc đơn tải điện trỏ (hình 4-1) Hình 4-1. Tầng công suất mắc đơn tải điện trỏ Để khuếch đại các dao động điều hòa tầng chỉ làm việc ỏ chế độ A, trong đó transistor làm việc trong cả hai nửa chu kỳ tín hiệu. 105
105. p = = Is2^ = -Hsm- " 2 2 2R„ Trong đó U,„ = U c B „ = |v à I„ = I„ p_., = H - k = i Ễ . = i l , E ramax 2 2 2 ^ ° 4 * Công suất tiêu thụ từ nguồn Po = Ico E Hiệu suất cực đại khi p„ -> p,ramax n=i ỉ= -|.100% =25% 4 I „ E Thực tế hiệu suất còn thấp hơn. Điện trở tải xoay chiều tối ưu được xác định: ■^Ct.ư h . 2K ưu điểm: tín hiệu ít bị méo Nhược điểm: công suất ra nhỏ, hiệu suất thấp. * Tầngcôngsuấtmắcđơncóbiếnápra(hình4-2) Biến áp ra có chức năng ngăn một chiều, dẫn tín hiệu xoay chiều ra tải Rị đồng thcri phối hợp trở kháng. Điều kiện phối hợp trở kháng Rra = R( = R( _ wTrong đó n = hệ số biến áp; W2 R„ - điện ừở ra của tầng khuếch đại; R, - điện trở tải; R, - điện trở tải quy về sơ cấp biến áp. Từ đó suy ra n = i R. R. 106
106. ra là lý tưỏng thì điện trở tải xoay chiều ở mạch ra u_ U I Ira- co a) Hinh 4-2. Tầng công suất mắc đớn, có biến áp ra - Công suất ra cực đại 2 2 ■ “ b) ramax - Công suất tiêu thụ từ nguồn: Po = U,„.I^ = I,„E - Hiệu suất cực đại:• • • = 1 E.I Po 2 E.I ^100% = 50% Trong thực tế biến áp luôn có tổn hao và tồn tại điện áp dư Udunên hiệu suất còn nhỏ hơn. Khi làm việc với tải tối ưu biên độ điện áp cực đại Uca™, bằng 2E YÌ tải mang tính điện kháng nên xuất hiện sức điện động cảm ứng trong cuộn sơ cấp biến áp. * Tầng công suất m ắc theo sơ đồ đẩy kéo có biến áp ra (hình 4-3) BAị là biến áp đảo pha; BAị là biến áp ra. Tầng có thể làm việc ở chế độ A hay chế độ B nhưng thường là chế độ AB với dòng tĩnh I,.o«(10 100) ^A. 107
107. ịv - +E B T, AI Ba2 a) Hình 4-3. Sơ đồ công suất (a) và đặc tuyến ra (b) Điện trởtải của mỗi transistor (1/2 cuộn sơ cấp là W| vòng) được xác định, w, w. R’, = n'.R, Suy ra n = R n = -^ R - Công suất ra cực đại một nhánh p _ il r ; _ I.. UcB. ■_I.nE ni max 2 2 2 Dòng điện trung bình trong một chu kỳ của một nhánh (1 transistor) 1 I... I ĩ n Dòng tiêu thụ từ nguồn E (cả hai nhánh); = 2.— n - Công suất tiêu thụ từ nguồn E: Po= I„.E =-I,„E n Hiệu suất cực đại của tầng p ĩ F. Imax 71 = -100%=78,5% 4 108
108. áp có tổn hao và ưcEm< E nên hiệu suất thấp hơn. Công suất tiêu tán trên colectơ của một transistor dưới dạng nhiệt. P _ p I I 2 Suy ra p = -^ P wO,4Pcmax _2 r;iniax n Kết luận: - ở chế độ B hay AB khi Uy = 0 tầng không tiêu thụ năng lượng. - Ngắn mạch tải và hở mạch tải khi có tín hiệu vào đều rất nguy hiểm cho transistor. * Tầỉìg công suất đẩy kéo mắc nối tiếp không hiển áp ra (hình 4-4) 1 R, R. ịị c, • 11 1 »í • I I ' u. JL R.: ; R, Hình 4-4 Để mắc tải trực tiếp không qua biến áp phải dùng nguồn đối xứng ±E có điểm giữa trung hoà, các cực + và -E không được nối với vỏ máy. Transistor T|, Tt là hai nhánh của tầng công suất, dùng hai transistor khác loại dẫn điện, đều mắc theo sơ đồ tải emitơ nên không khuếch đại được điện áp. Tầng T, là tầng kích công suất và khuếch đại điện áp, tải xoay chiều là Rj; D| và D, làm nhiệm vụ tạo thiên áp và ổn định nhiệt cho T| và T,. Tầng thường làm việc ở chế độ AB. Các tính toán của tầng này giống như đã xét ở trên. * Tầng công suất mắc theo sơ đồ đẩy kéo íỉùng tụ phán cách c¡> Trong trường hợp không có nguồn đối xứng mà chỉ có nguồn đơn cực, muốn mắc tải trực tiếp, không qua biến áp thì phải dùng tụ phân cách Cp mắc nối tiếp với tải. Tụ Cp có hai chức năng: ngàn thành phần dòng một chiều qua R, và làm nguồn thứ cấp cho T2khi T| tắt. Tụ Cp sẽ phóng, nạp qua T|, T-, và R,. 109
109. các linh kiện hợp thành giống nhưsơ đồ dùng nguồn đối xứng. 4.2. PHẨN BÀI TẬP CÓ LỜI GIÀI (1^ Bài tập 4-1. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4-5a Biết: E=12V Rc = 20Q R, = 2kQ Ube = 0,5V; p = 50 Dòng điện vào có biên độ Iv = I b = 5mA. a) Xác định điểm làm việc tĩnh 0 và đường tải một chiều, xoay chiều. b) Xác định dòng Icứng với ly = 5mA. Bài giải a) Dòng tĩnh Ibođược xác định 12-0,5 Hình 4-5a = 5,75mA ị I,(mA) Ạ ^{R=R~ 1287,5 ....V Ỵ /V/ ..... x,„ ^6,25 U„(V) Hình 4-5b E-Ue,o _____ R, 2.10' Dòng tĩnh colectơ Icx) = PIbo= 50.5,75 = 287,5mA - Điện ap U(} = 12-IqqRc = 12- 287,5. lOMO = 12 - 5,75 = 6,25V Điểm làm việc tĩnh o có toạ độ o(6.25V;287,5mA). - Để vẽ đường tải một chiều và xoay G hiều (ở đây = R_ = Rc) cẫn xác định thêm một điểm nữa ngoài điểm o. Biết phương trình đường tải U,, = E-IcRc Cho Ic = 0 u„ = UcE = E = 12V. Nối điểm o với điểm 12V trên trục hoành ta được đường tải một chiều. Trong trường hợp này vì R = R. nên đường tải một chiều và xoay chiều trùng với nhau. 110
110. điện vào Ig biến thiên 5mA thì dòng điện ra sẽ biến thiên a) Hiệu suất của tầng. b) Công suất tiêu tán trên colectơ của transistor. Bài giải a) Để xác định hiệu suất, cần xác định công suất ratải và công suất tiêu thụ. _ ("250 - Công suất ra p = ^{R = .20 = 0,625W 2 2 - Công suất tiêu thụ từ nguồn Po = E.I,„ = 12.287,5.10' = 3,45W Hiệu suất TỊ=} ^{1 0 0 % = 18,1% ' 3,45 b) Công suất tiêu tán trên colectơ transistor Pc = Po - Pra = 3,45 - 0,625 = 2,825W (Q ) Bài tập 4-3. Đề lặp lại bài 4-1. Nếu giảm biên độ dòng tín hiệu vào còn 3mA Hãy xác định: a) Công suất ra. b) Hiêu suất của tầng. c) Công suất tiêu tán trên colectơ. d) Cho nhận xét. Bài giải a)Xác định công suất ra - Dòng điện ra = Ig.p = 3.50 = 150mA Í15010"^y - Công suất ra = -} R . = 20 = 0,225W 111
111. tiêu thụ, không đổi P„= L,,n= 12. 287,5.10 ' = 3,45w b) líiệu suàì của tầnạ p . . 0 225 n = 100% = - - - 100% - 6,52% K 3,45 c) Công suâì tiêu tán trên colectơ P(. = p„ - = 3,45 - 0,225 = 3,225W d) Nhận xét: - Còns suất tiêu thụ từ nguồn là cố định, không phụ thuộcvào mức lín hiệu vào, vl tầng làm việc ở chế độ A. - Biên độ tín hiệu vào giảm thì hiệu suất giảm và công suất tiêu tán P(~ tãng lên. (1 ^{Bài tập 4-4. Cho mạch khuếch đại công suất có biến áp ra như hình 4-2. Biết dòng điện tĩnh l|i„ = 3iĩiA; ß = 20; H= 12V; Un|,,) = 0.6V, biên độ dòntỉ diện vào ỉ|j,„ “ 4mA. Sụt áp trên R,v : ƯR,.; = 1V; R, = 8Q; n = = 4 . a) Xác định điện trở R| và R,. b) Xác định diêm làrn việc tĩnh, đường tải một chiều và xoaychiểu. c) Xác dinh dòng í}„, và điện áp u^,„. Bài giải a)Xác định trị số điện trở R| và R, - u,„ = u,,; + U,„,o = 1.0 + 0,6 = 1,6V U,, - I,.R, R, - = % - V- son ' l, 4I„„ 4.5.10' - U |^ | = ( I ị, + I ịịq ) R ị = E - U ị^2 l, + I„, 51., 5.5.10 ‘ 1 2
112. điểm làm việc tĩnh Nếu coi biến áp là lý tưởng thì Ư C E O = E = 12V Ico “ ßlßo —20.50 = lOOmA Toạ độ điểm làm việc tĩnh o (12V; lOOmA) Điện trở tải quy về sơ cấp biến áp R’, = n-R, = 4l8 = 128n Từ điểm trên trục hoành có điện áp Uc£0 = 12V công thêm một đoạn điện áp bằng = 100.10'll28 á = 12,8 V, được điểm B kẻ đường thẳng qua B và o ta được đường tải xoay chiễu. Từ đồ thị xác định, ứng với dòng Ißn, biến thiên ±4mA. U c e . « = 22V U c E . i n = U a . = 3 V Icmax= 180 mA Icmin = 2,0 tĩìA. Biên độ dòng cực đại I 180-2 = 89mA Biên độ điện áp ra cực đại I U CEmax ^CEmìn 2 2 -3 = 9,5V 8- 250BTKTĐIỆNTỪ-A 113
113. Bàì tập 4-5. Đề lặp lại bài 4-4 a) Xác định công suất ra tải. b) Xác định công suất tiêu thụ. c) Xác định hiệu suất của tầng. d) Công suất tiêu tán trên transistor. Bàỉ giải a) Điện áp hiệu dụng trên cuộn sơ cấp biến áp: TI I —ĩ 79 —'ĩ I = - ĩ ^{= = 6,74V 72 2yÍ2 i S - Giá trị hiệu đụng điện áp bên thứcấp biến áp tức là trên tải R,: U ,= U ™ Ị = Ì A 7 4 = 1.685V - Công suất ra tải: p „ =} = ílì^{= 0 ,3 5 5 W ” R. 8 b) Công suất tiêu thụ từ nguồn: Po = E.I,„ = 12V.100.10' = 1,2W c) Hiệu suất của tầng: p ___ 0 355 T1= -^100% = = 29,58% Po 1 ,2 ’ d) Công suất tiêu tán ữên vỏ transistor Pc Pc = Po- Pra= 1,2 - 0,355 = 0,845W Bài tập 4-6. Đề lặp lại bài 4-4. Nhưng giảm điện trò tải xuống còn 40. Hãy xác định công suất ra, hiệu suất và công suất tiêu tán Pc- Bài giải a) Nếu Rị = 4Q, thì R’, = n}.R, = 4^.4 = 64Q, toạ độ điểm B trên trục hoành bây giờ là 12V + 100.10164 = 18,4V. Từ đồ thị (hình 4-6) ứng với Ib„ = ±4mA so với Igo ta xác định được 8 -250BTKTOIỆNTỬ - B